2p-TB-1 高密度励起子によるマイクロ波伝導

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1970-04-01

著者

• 森垣 和夫

  物性研

• 柊元 宏

  東工大工

• 原田 敏明

  物性研

• 恩田 美智江

  物性研

• 柊元 宏

  物性研

関連論文

• 3p-RM-3 トンネル効果によるアモルファスSi_Au_xの超電導と電予局在の研究
• 13a-D-4 a-Si_Au_x:Hの金属絶縁体転移と超電導
• 27p-HE-10 アモルファスSi_Au_xの超電導
• 27p-HE-9 a-Si:Au系の磁気抵抗
• 29p-G-3 シンクロトロン放射光電子分光法によるCaSi_2の電子状態の研究
• 2a-KB-8 CaSi_2のシンクロトロン放射分光
• 12p-D-10 a-Si:H,a-Si_Cx:H,a-Si_Nx:Hにおける新しい光検波ESR信号
• 28a-B-10 Al_xGa_As混晶の吸収端発光の時間分解スペクトル II
• 3a-F-18 GaAlAsの欠陥構造に及ぼす圧力効果
• 3p-Q-11 静水圧下におけるAlGaAs中のDX準位
• 3p-A-8 高圧下におけるAl_xGa_Asのラマン散乱
• 2p-TB-2 CdS束縛励起子の発光
• 29p-B-4 a-Si_Au_x:HにおけるODMR,ESR,光誘起吸収
• 30a-B-12 アモルファスSi:Au系およびSi:Au:H系の金属・非金属転移
• 11-3 ZnS系螢光体の低速電子線励起発光
• 27a-G-11 a-Si:Hにおけるダングリングボンド中心のENDORと光誘起効果
• 30a-A-5 a-Si:HのENDOR
• 30a-F-4 スパッターa-Si,GDa-Si:H,GDa-Si:H,Fにおける光検波ESR
• 24a-X-2 ZnSe中の共鳴ハイパーレーレー散乱
• 4p-P-8 Cd(S,Se)における励起子-励起子相互作用
• 2p-TB-1 高密度励起子によるマイクロ波伝導
• 18a-B-6 ZnS:Cu緑色発光機構の総合的検討
• 16a-B-21 レーザー光を直接生成したCd(s,Se)励起子の発光
• 16a-B-20 レーザー光で直接生成したCd(S,Se)励起子による光伝導
• 17p-A-3 Cd(S,Se)高密度励起子の挙動
• 束縛励起子
• CdS励起子発光のドナー濃度依存症 : イオン結晶・光物性
• Arレーザー光励起によるCd(S,Se)の励起子発光 : 半導体, イオン結晶, 光物性
• 5p-L-9 ZnSeの吸収端近傍の発光
• 14p-N-10 ZnSのdonor-acceptor pair型の発光 II.
• 2p-C-3 ZnSにおけるCu^の吸収スペクトルおよびルミネッセンスとの関連
• 2p-C-1 ZnS螢光体単結晶におけるドナー不純物の赤外吸収
• ZnS単結晶の浅いトラップによる赤外吸収 : 光物性・イオン結晶
• 10a-L-3 溶融法による(Zn,Cd)S単結晶の育成とその光学的性質
• 溶融法によるZnS単結晶の作製とその性質 : 光物性
• 3p-G-12 a-Si_xC_(X≃0.2)に於ける光励起キャリアーのピコ秒ポピュレーションダイナミックス
• 3p-G-11 a-Si_xC_の発光のピコ秒分光 (II)
• 4a-A-2 Pドープa-S:Hの光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR
• 27a-G-7 a-Si:Hにおけるルミネッセンス光照射効果 : 低温照射と室温照射の違い
• 30a-A-9 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(III)
• 2p-F-20 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(II)
• 4a-A-5 a-Si:Hにおける光誘起中心とギャップ状態
• 1p-PS-18 ディシラン分解a-Si:Hにおける時間分解ルミネッセンスとパルスODMR
• 1p-PS-16 モノシラン、ディシラン分解a-Si:Hにおけるルミネッセンス疲労とODMR
• 27a-SB-11 a-Si_C_x : Hにおける光検波ESR
• 5a-C-10 a-Si_N_X:H系バンド端変調構造膜の物性(II)
• 27a-G-10 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の、時間分解ODMR
• 27a-G-9 1次元規則及び不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出電子スピン共鳴
• 27a-G-5 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の光熱偏向分光法による吸収スペクトル
• 27a-G-4 一次元規則および不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜のルミネッセンスとODMR
• 2a-CA-4 化合物半導体の深い準位-格子緩和と欠陥生成
• 30a-W-8 a-Si:H系バンド端変調構造膜の光伝導
• 30a-W-1 微結晶-アモルファス混合相シリコン薄膜のルミネッセンス
• 26p-M-12 a-Si:Hにおける光誘起吸収と水素量との相関
• 26p-M-11 a-Si:H/a-Si_N_x:H超格子膜の界面欠陥
• 4a-D-6 a-Si:Hにおける水素量とUrbachエネルギーの関係
• 30a-A-2 a-Si:H/a-Si_N_x:H超格子膜の時間分解ルミネッセンス
• 2p-F-16 Pドープ a-Si:Hのギャップ状態と再結合過程 II
• 2a-K-7 a-Si:Hとその合金系の光学キャップとUrbachエネルギーの関係
• 30a-B-6 a-Si:Hにおける光検波ENDOR
• 30a-B-5 高水素a-Si:Hにおける光検波ESR
• 4a-NL-9 a-Si:Hにおける光検波ESR II 光照射による欠陥生成
• 4a-NL-8 a-Si:Hにおける光検波ESR I 再結合過程
• 5a-C-9 a-Si : Hにおける自己束縛正孔中心(A中心)の局所構造
• 2a-A-3 n型GeドナーESR誘起伝導機構
• 4a-C-4 Ge_Au_x系薄膜の超伝導
• 2p-F-17 a-Si:Hにおける変調光電流
• 1p-PS-19 a-Si_Fe_x,:Hにおけるホッピング伝導
• 2a-W-27 a-Si:Hルミネッセンス疲労効果の励起波長依存症
• 1p-BJ-7 Ge における電子-正孔液滴の荷電と光伝導 II
• 13a-K-14 CdSの不純物伝導とESR
• 5p-K-7 カルコゲナイドガラスの短寿命螢光
• 12p-D-5 シロキセン(Si_6(OH)_3H_3)の時間分解ルミネッセンス
• 27a-SB-15 a-Si : Hにおける光誘起吸収の光照射効果
• 1p-B-16 a-Si: Hにおける光検波ESRのスペクトル依存性と非輻射再結合中心
• 不規則格子のクラスターとスピン状態 : 半導体, 光物性, イオン結晶合同シンポジウム : 不規則格子と不純物伝導
• 7a-B-3 SiドナーESRによる抵抗減少 II
• 7a-B-2 GeのドナーESRによる抵抗変化
• 3a-N-12 SiのドナーESRによる抵抗減少
• 3a-N-11 n型Siのミリ波ホットエレクトロン効果
• 18a-A-5 n-InSbのミリ波ESR
• GaPのドナー・スピン共鳴 : 半導体 (下純物)
• 補償されたn型Siのミリ波ESR : 半導体 (下純物)
• 27a-LE-3 a-Si:H/a-Si_Nx:H超格子のODMR,光誘起吸収,ESR(半導体)
• 27a-LM-5 間接型Al2Ga_As混晶の吸収端発光の時間分解スペクトルI(イオン結晶・光物性)
• 30a-FB-6 高圧下におけるGa_Al_xAsの光学的性質(30a FB 半導体(光物性・深い不純物・輸送現象・ホットエレクトロン))
• 1a-FC-9 ノンドープ,P-ドープa-Si:HのLESR(1a FC 半導体(アモルファス))
• 1a-FC-8 a-Si:H系の時間分解ODMR(1a FC 半導体(アモルファス))
• 1a-D1-5 Pドープa-Si:Hのギャップ状態と再結合過程(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
• 1a-D1-6 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク