3p-Q-11 静水圧下におけるAlGaAs中のDX準位

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1984-09-10

著者

• 箕村 茂

  北大理

• 箕村 茂

  岡山理大

• 柊元 宏

  東工大工

• 太刀川 正美

  東工大工

• 水田 正志

  東工大工

• 柊元 宏

  東工大・工

• 柊 元宏

  東工大工

関連論文

• 9p-F-9 ヨウ素の高圧金属相の構造
• 29a-P-7 高圧下におけるCeCu_6のNMRII
• 29p-A-2 高圧下における混晶半導体のドナー準位
• 3p-PS-5 Ce(In_Sn_x)_3の格子定数の圧力依存性
• 金原 粲: スパタリング現象; 基礎と薄膜・コーティング技術への応用, 東京大学出版会, 東京, 1984, x+234ページ, 21.5×15.5cm, 2,800円.
• 1p-N-7 GaN薄膜のラマン散乱
• 28a-B-10 Al_xGa_As混晶の吸収端発光の時間分解スペクトル II
• 3a-PS-26 高圧下におけるMS_2(M=Fe,Ni)のラマンスペクトル
• 1a-G-11 高濃度近藤系CeCu_6の電気抵抗と格子定数の圧力効果
• 3a-F-18 GaAlAsの欠陥構造に及ぼす圧力効果
• 3p-Q-11 静水圧下におけるAlGaAs中のDX準位
• 3p-A-8 高圧下におけるAl_xGa_Asのラマン散乱
• 低温下の圧力較正 : 計測
• 2p-TB-2 CdS束縛励起子の発光
• 27a-SB-2 同軸円筒型グロー放電装置により作成したa-Si : Hの物性 II
• 30a-B-8 同軸円筒型GD装置により作成したa-Si:Hの物性
• 3a-M-1 X線散漫散乱用新型ダイヤモンド高圧セルの開発と応用I
• 2p-W-11 アモルファスIV-VI族半導体の構造
• 第7回非晶質および液体半導体国際会議
• 11-3 ZnS系螢光体の低速電子線励起発光
• 4a-A-11 a-Si:HのNMR
• 4a-NL-3 アモルファスSi_Ge_x:HのEXAFS
• 2p-B-1 As_2S_3ガラスの高密度化と光構造変化
• 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
• 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
• 4p-K-8 NaCl構造InSbの電子構造(I)
• 24a-X-2 ZnSe中の共鳴ハイパーレーレー散乱
• 4p-P-8 Cd(S,Se)における励起子-励起子相互作用
• 2p-TB-1 高密度励起子によるマイクロ波伝導
• 18a-B-6 ZnS:Cu緑色発光機構の総合的検討
• 16a-B-21 レーザー光を直接生成したCd(s,Se)励起子の発光
• 16a-B-20 レーザー光で直接生成したCd(S,Se)励起子による光伝導
• 17p-A-3 Cd(S,Se)高密度励起子の挙動
• 束縛励起子
• CdS励起子発光のドナー濃度依存症 : イオン結晶・光物性
• Arレーザー光励起によるCd(S,Se)の励起子発光 : 半導体, イオン結晶, 光物性
• 5p-L-9 ZnSeの吸収端近傍の発光
• 4a-B-9 GaSの圧力誘起ポリタイプ間構造相転移
• 5p-K-11 非晶質GaSbの圧力による構造変化
• 27a-SB-18 ストイキオメトリー・ガラスGe(S, Se)の中距離構造と次元性
• 3p-BJ-11 As_2Te_3 の圧力誘起半導体-金属転移
• 9a-R-2 高圧相Teの結晶構造
• 2a-W-20 GD-a-Si:HとSP-a-Si:Hのプラズマ解析
• 30p-L-11 DXセンターの圧力下におけるICTSスペクトル実験 : DXセンターの多重性と格子緩和
• 30a-M-1 DXセンターの多重性と格子緩和 : 圧力下のICTSスペクトル実験
• 2a-W-21 SP-a-Si:HとGD-a-Si:Hの圧力誘起半導体 : 金属転移
• 30a-T-10 ヨウ素高圧金属相の電気的性質
• 4a-B-14 アクセプタ型グラファイト層間化合物における圧力効果
• 3a GE-10 GaPの圧力誘起半導体 : 金属転移と超伝導転移
• 31a-BD-4 BNNにおける圧力相転移
• 31a-BD-3 高圧下における結晶光学法による相転移の研究
• 12a-PS-8 Ni(S_Se_x)_2系の金属一絶縁体転移と光反射スペクトル
• 28a-C-4 AlAs/GaAs短周期超格子の電子構造とその圧力及び歪効果
• 13p-PS-37 Si-Ge合金系の格子振動と局所構造
• 13a-E-18 カルコゲナイドガラスの光構造変化と圧力効果
• 29a-M-2 Si-Ge 合金系のラマン散乱
• 2a-B-9 ウルツ型構造の圧力依存性 I
• 31a-F-7 a-Si:H膜の局所原子構造と圧力効果
• 30a-F-9 a-Si:Hのラマン散乱水素効果
• 30a-F-6 a-Si:H作成プラズマのイオン質量分析
• 4a-NL-5 高圧下におけるa-Si:Hのラマン散乱
• 4a-NL-4 高圧下におけるa-Si:Hの物性
• 3a GE-9 NaCl型InSbの圧縮
• 2a GG-10 高圧下転移の光学的研究 III
• 3a-AA-12 NdP_5O_の圧力効果
• 3a-AA-11 高圧下転移の光学的研究II
• 3a-AA-10 高圧下転移の光学的研究I
• 1a-U-8 Cs高圧相(IV)の結晶構造
• 3a-B-9 超高圧下におけるZnOのラマン散乱
• 1p-B-20 アモルファスSi: H合金のX線回折
• 2a-H-12 BaTiO_3のSHGの圧力依存性
• 29p-P-5 結晶および非晶質GeX(X=S, Se)のEXAFS
• 29a-D-1 アモルファス Si-H 合金の圧力誘起非金属-金属転移
• 2a-M-8 低温における EXAFS 測定
• 3a-N-2 300kbar におけるヨウ素の結晶構造
• 31p GK-6 非晶質GeNi系のEXAFS
• 3p GC-8 高圧下におけるヨウ素の構造相転移
• 31p GE-7 非晶質シリコン水素合金スパッタ膜の物性
• 5p-AD-10 PEの高圧下の融解・結晶化挙動
• 4a-AD-8 SSDを用いたEXAFS測定 II
• 3p-AD-5 PSDとダイヤモンドアンビルによる高圧X線回折
• 2a-BF-5 SSDを用いたEXAFSの測定
• 9p-E-11 PEのP-V関係と融解現象(IV)
• 11a-Z-7 NaCl構造InSbのXPS
• 5p-K-12 非晶質Si,Geの高圧相の構造
• 4p-K-9 NaCl構造InSbの安定性
• 7p-S-8 PEのP-V関係と融解現象(III)
• 6p-B-12 X線光電子スペクトル(XPS)による非晶質Geの研究
• 29p-PS-10 高圧下におけるCeCu_6,CeCu_2Si_2のNMR(磁性ポスターセッション)
• 27a-LM-5 間接型Al2Ga_As混晶の吸収端発光の時間分解スペクトルI(イオン結晶・光物性)
• 28a-LN-3 混晶半導体における吸収端発光の温度依存性 I(イオン結晶・光物性)
• 28p-LE-7 高圧下におけるAlGaAs発光 I(半導体)
• 28p-LE-10 In_Ga_xAsyP_のラマンスペクトル(半導体)
• 3a-K2-11 六方晶BaTiO_3の圧力効果(誘電体)
• 30a-FB-6 高圧下におけるGa_Al_xAsの光学的性質(30a FB 半導体(光物性・深い不純物・輸送現象・ホットエレクトロン))
• 1a-D1-4 a-Si:Hとa-Si_C_x:Hにおける'HNMRの研究(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
• 29p-LE-10 NbSe_3の高圧下におけるCDWと超伝導(II)(半導体)
• 1p-A3-7 SRによるBiの低温高圧誘起相の研究(1p A3 X線・粒子線,X線・粒子線)
• 3p-E1-8 パイライト型化合物MX_2 (M = Fe, Co, Ni)の高圧下における光反射スペクトル(3p E1 磁性(パイライト))
• 1a-FC-13 a-Si:Hの核スピン緩和(1a FC 半導体(アモルファス))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク