31a-BD-4 BNNにおける圧力相転移

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1978-03-10

著者

• 浅海 勝征

  東大物性研

• 箕村 茂

  東大物性研

• 箕村 茂

  北大理

• 中村 輝太郎

  東大物性研

• 小島 誠治

  東大物性研

関連論文

• 6p-KC-5 非晶質InSb の高圧力下における金属化転移に伴う構造変化
• 6p-KC-4 圧力誘起によるInSbの半導体-金属転移
• 25p-T-3 非晶質InSbの高圧力下における非金属-金属転移
• 25p-T-2 非晶質Si,Geの圧力誘起の半導体-金属転移機構
• 25p-T-1 非晶質Geおよびその合金の高圧下における非金属-金属転移
• 3p-E-2 非晶質ゲルマニウム合金の電気的磁気的性質
• 10p-Q-3 非晶質Ge-Ni合金の電気的性質におよぼす圧力効果
• 10p-Q-2 非晶質Geの高圧相の超電導
• テトラセン結晶のDavydov分裂の圧力効果 : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
• 10a-L-11 有機結晶中のエネルギー移動(I)アントラセン-テトラセン系の光増感の圧力効果
• 10a-L-10 高圧下におけるアントラセン結晶の蛍光スペクトル
• 9p-F-9 ヨウ素の高圧金属相の構造
• 低温下の圧力較正 : 計測
• 2a-KK-7 固体Xeの超高圧下X線回折
• 30a-L-5 RbI, KIの超高圧下光吸収と絶縁体 : 金属転移
• 27a-SB-2 同軸円筒型グロー放電装置により作成したa-Si : Hの物性 II
• 30a-B-8 同軸円筒型GD装置により作成したa-Si:Hの物性
• A.Van Itterbeek編: Physics of High Pressures and the Condensed Phase, North-Holland, 1965, 598頁, 15×23cm, 8,400円.
• 3p-E-4 Rbの熱電能に及ぼす圧力効果
• 10p-Q-6 液体Hg-In^合金のNMRに及ぼす圧力効果
• 10p-Q-5 液体及び固体Csの熱電能に及ぼす圧力効果
• I-2.圧力下における液体金属のX線回折(『液体金属の構造と物性』,物性研短期研究会報告)
• 半金属のde Haas振動に及ぼす圧力効果 II : 半導体 (半金属)
• 5p-H-13 半金属のShubunikov-de Haas振動に及ぼす圧力効果 I
• 3a-M-1 X線散漫散乱用新型ダイヤモンド高圧セルの開発と応用I
• 2p-W-11 アモルファスIV-VI族半導体の構造
• 第7回非晶質および液体半導体国際会議
• VanadiumのAnomalyの圧力効果 : 磁性(金属合金)
• 4a-A-11 a-Si:HのNMR
• 4a-NL-3 アモルファスSi_Ge_x:HのEXAFS
• 2p-B-1 As_2S_3ガラスの高密度化と光構造変化
• 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
• 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
• 5a-R-1 非晶質Se,As_2S_3,As_2Se_3の吸収端の圧力変化
• NiAs型磁性化合物の格子定数の圧力依存性 : 磁性(化合物)
• 超高圧下におけるPbSのX線回折 : X線・粒子線
• 高圧におけるInSbのNMR : 半導体 : マイクロ波
• 高圧下のVO系化合物のNMR : 半導体 : 不純物伝導
• 低温超高圧におけるB_Cの相転移 : 低温・金属
• 高圧下X線回折, Gd, MnS : X線・粒子線
• 超高圧における結晶のX線解析
• GaSeの物性におよぼす圧力の影響(I) : 半導体(化合物半導体)
• SiとGeにおける高密度相の構造と電気的性質 : 半導体 : 輸送
• VANADI TEの磁性と電気的性質 : I. 圧力効果
• 9a-F-7 「金属」Si,Geの結晶構造と圧縮率
• 5a-F-8 V-O系の相転移 : V_6O_を中心にして
• 高圧下でのX線回折装置 : 粒子線・X線
• Cu_2Sの第二次相転移に及ぼす圧力効果(半導体(化合物))
• V_2O_3とV_2O_4におけるInsulator-to-Metal転移に及ぼす圧力効果(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
• 4a-B-9 GaSの圧力誘起ポリタイプ間構造相転移
• 5p-K-11 非晶質GaSbの圧力による構造変化
• 7p-U-3 非晶質InAsにおける圧力誘起の構造変態
• 27a-SB-18 ストイキオメトリー・ガラスGe(S, Se)の中距離構造と次元性
• 3p-BJ-11 As_2Te_3 の圧力誘起半導体-金属転移
• 9a-R-2 高圧相Teの結晶構造
• 5a-B-9 Se,TeのRaman振動数の圧力依存性
• 6p-KC-6 圧力誘起による非晶質セレンの非金属-金属転移
• 2a-W-20 GD-a-Si:HとSP-a-Si:Hのプラズマ解析
• 2a-W-21 SP-a-Si:HとGD-a-Si:Hの圧力誘起半導体 : 金属転移
• 30a-T-10 ヨウ素高圧金属相の電気的性質
• 4a-B-14 アクセプタ型グラファイト層間化合物における圧力効果
• 3a GE-10 GaPの圧力誘起半導体 : 金属転移と超伝導転移
• 27a-W-4 強弾性体NdP_5O_の圧力効果 II
• ダイヤモンドアンビルを用いた誘電体の高圧下相転移の研究(実験室)
• 31a-BD-4 BNNにおける圧力相転移
• 31a-BD-3 高圧下における結晶光学法による相転移の研究
• 12a-PS-8 Ni(S_Se_x)_2系の金属一絶縁体転移と光反射スペクトル
• 13p-PS-37 Si-Ge合金系の格子振動と局所構造
• 13a-E-18 カルコゲナイドガラスの光構造変化と圧力効果
• 29a-M-2 Si-Ge 合金系のラマン散乱
• 2a-B-9 ウルツ型構造の圧力依存性 I
• 31a-F-7 a-Si:H膜の局所原子構造と圧力効果
• 30a-F-9 a-Si:Hのラマン散乱水素効果
• 3p-E-3 非晶質Siの高圧金属相
• 2a-TC-7 圧力下における銀-ピリジン系のラマン散乱
• 11p-T-4 CsIの超高圧下X線回折
• 13a-S-4 高圧下の吸着分子 : ピリジン
• 27a-K-8 銀-ピリジン系のラマン散乱の圧力効果
• 固体Xeの圧力誘起金属化を探る
• 30a-L-10 RbIの超高圧下光吸収 (II)
• 30a-L-2 高圧下におけるピリジンのラマン散乱
• 2a-K-3 固体Xeの超高圧下光吸収
• 3a-NGH-29 RbIの高圧下吸収スペクトル
• 2a-N-2 半導体・化合物の相転移
• 1a-M-6 LiHの高圧下反射スペクトル (I)
• 3a GE-9 NaCl型InSbの圧縮
• 2a GG-10 高圧下転移の光学的研究 III
• 3a-AA-12 NdP_5O_の圧力効果
• 3a-AA-11 高圧下転移の光学的研究II
• 3a-AA-10 高圧下転移の光学的研究I
• 5p-K-12 非晶質Si,Geの高圧相の構造
• 4p-K-9 NaCl構造InSbの安定性
• 7p-U-4 非晶質Geにおける圧力誘起の構造変態(X線回折による研究)
• 7p-U-2 正四面体結合非晶質膜における圧力誘起の半導体-金属転移
• 5a-R-3 非晶質InSbの高圧力下における結晶化
• 3a-A-13 Diamond AnvilによるKossel線現象
• 6a-KC-5 CuAu合金の高圧下における規則-不規則変態
• 10p-Q-4 液体セシウムの構造因子に及ぼす圧力効果
• 7p-V-4 圧力下における液体アルカリ金属のX線回折
• 6a-H-6 DC法によるアンチモンの電流磁気効果の圧力効果

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク