2p-W-11 アモルファスIV-VI族半導体の構造

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1981-03-30

著者

• 箕村 茂

  東大物性研

• 大柳 宏之

  電総研

• 大柳 宏之

  東京大学物性研究所

• 箕村 茂

  北大理

• 細谷 資明

  東大物性研

• 田中 一宜

  電総研

• 細谷 資明

  物性研

• 箕村 茂

  電総研

関連論文

• 6p-KC-5 非晶質InSb の高圧力下における金属化転移に伴う構造変化
• 25p-T-3 非晶質InSbの高圧力下における非金属-金属転移
• 25p-T-2 非晶質Si,Geの圧力誘起の半導体-金属転移機構
• 25p-T-1 非晶質Geおよびその合金の高圧下における非金属-金属転移
• 3p-E-2 非晶質ゲルマニウム合金の電気的磁気的性質
• 10p-Q-3 非晶質Ge-Ni合金の電気的性質におよぼす圧力効果
• 10p-Q-2 非晶質Geの高圧相の超電導
• テトラセン結晶のDavydov分裂の圧力効果 : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
• 10a-L-11 有機結晶中のエネルギー移動(I)アントラセン-テトラセン系の光増感の圧力効果
• 10a-L-10 高圧下におけるアントラセン結晶の蛍光スペクトル
• 9p-F-9 ヨウ素の高圧金属相の構造
• 低温下の圧力較正 : 計測
• 27a-SB-2 同軸円筒型グロー放電装置により作成したa-Si : Hの物性 II
• 30a-B-8 同軸円筒型GD装置により作成したa-Si:Hの物性
• A.Van Itterbeek編: Physics of High Pressures and the Condensed Phase, North-Holland, 1965, 598頁, 15×23cm, 8,400円.
• 3p-E-4 Rbの熱電能に及ぼす圧力効果
• 10p-Q-6 液体Hg-In^合金のNMRに及ぼす圧力効果
• 10p-Q-5 液体及び固体Csの熱電能に及ぼす圧力効果
• I-2.圧力下における液体金属のX線回折(『液体金属の構造と物性』,物性研短期研究会報告)
• 半金属のde Haas振動に及ぼす圧力効果 II : 半導体 (半金属)
• 5p-H-13 半金属のShubunikov-de Haas振動に及ぼす圧力効果 I
• 3a-M-1 X線散漫散乱用新型ダイヤモンド高圧セルの開発と応用I
• 2p-W-11 アモルファスIV-VI族半導体の構造
• 第7回非晶質および液体半導体国際会議
• VanadiumのAnomalyの圧力効果 : 磁性(金属合金)
• 4a-A-11 a-Si:HのNMR
• 4a-NL-3 アモルファスSi_Ge_x:HのEXAFS
• 2p-B-1 As_2S_3ガラスの高密度化と光構造変化
• 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
• 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
• 5a-R-1 非晶質Se,As_2S_3,As_2Se_3の吸収端の圧力変化
• NiAs型磁性化合物の格子定数の圧力依存性 : 磁性(化合物)
• 超高圧下におけるPbSのX線回折 : X線・粒子線
• 高圧におけるInSbのNMR : 半導体 : マイクロ波
• 高圧下のVO系化合物のNMR : 半導体 : 不純物伝導
• 低温超高圧におけるB_Cの相転移 : 低温・金属
• 高圧下X線回折, Gd, MnS : X線・粒子線
• 超高圧における結晶のX線解析
• GaSeの物性におよぼす圧力の影響(I) : 半導体(化合物半導体)
• SiとGeにおける高密度相の構造と電気的性質 : 半導体 : 輸送
• VANADI TEの磁性と電気的性質 : I. 圧力効果
• 9a-F-7 「金属」Si,Geの結晶構造と圧縮率
• 5a-F-8 V-O系の相転移 : V_6O_を中心にして
• 高圧下でのX線回折装置 : 粒子線・X線
• Cu_2Sの第二次相転移に及ぼす圧力効果(半導体(化合物))
• V_2O_3とV_2O_4におけるInsulator-to-Metal転移に及ぼす圧力効果(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
• 4a-B-9 GaSの圧力誘起ポリタイプ間構造相転移
• 7p-U-3 非晶質InAsにおける圧力誘起の構造変態
• 27a-SB-18 ストイキオメトリー・ガラスGe(S, Se)の中距離構造と次元性
• 3p-BJ-11 As_2Te_3 の圧力誘起半導体-金属転移
• 9a-R-2 高圧相Teの結晶構造
• 5a-B-9 Se,TeのRaman振動数の圧力依存性
• 6p-KC-6 圧力誘起による非晶質セレンの非金属-金属転移
• 2a-W-20 GD-a-Si:HとSP-a-Si:Hのプラズマ解析
• 2a-W-21 SP-a-Si:HとGD-a-Si:Hの圧力誘起半導体 : 金属転移
• 30a-T-10 ヨウ素高圧金属相の電気的性質
• 4a-B-14 アクセプタ型グラファイト層間化合物における圧力効果
• 3a GE-10 GaPの圧力誘起半導体 : 金属転移と超伝導転移
• 31a-BD-4 BNNにおける圧力相転移
• 31a-BD-3 高圧下における結晶光学法による相転移の研究
• 12a-PS-8 Ni(S_Se_x)_2系の金属一絶縁体転移と光反射スペクトル
• 13p-PS-37 Si-Ge合金系の格子振動と局所構造
• 13a-E-18 カルコゲナイドガラスの光構造変化と圧力効果
• 29a-M-2 Si-Ge 合金系のラマン散乱
• 2a-B-9 ウルツ型構造の圧力依存性 I
• 31a-F-7 a-Si:H膜の局所原子構造と圧力効果
• 30a-F-9 a-Si:Hのラマン散乱水素効果
• 30a-F-6 a-Si:H作成プラズマのイオン質量分析
• 4a-NL-5 高圧下におけるa-Si:Hのラマン散乱
• 4a-NL-4 高圧下におけるa-Si:Hの物性
• 8a-B-2 熱分解黒鉛におけるC軸方向の電気伝導-II
• 常磁性体のナイトシフトに及ぼす圧力効果(2) : 磁性(金属・合金)
• 3p-M-7 常磁性体のナイトシフトに及ぼす圧力効果
• 金属ln,Sbの超電導 : 低温
• 7p-U-5 アモルファスゲルマニウムのホッピング伝導の圧力依存性
• 3p-E-3 非晶質Siの高圧金属相
• 3a GE-9 NaCl型InSbの圧縮
• 2a GG-10 高圧下転移の光学的研究 III
• 3a-AA-12 NdP_5O_の圧力効果
• 1a-U-8 Cs高圧相(IV)の結晶構造
• 3a-B-9 超高圧下におけるZnOのラマン散乱
• 1p-B-20 アモルファスSi: H合金のX線回折
• 2a-H-12 BaTiO_3のSHGの圧力依存性
• 29p-P-5 結晶および非晶質GeX(X=S, Se)のEXAFS
• 29a-D-1 アモルファス Si-H 合金の圧力誘起非金属-金属転移
• 2a-M-8 低温における EXAFS 測定
• 3a-N-2 300kbar におけるヨウ素の結晶構造
• 31p GK-6 非晶質GeNi系のEXAFS
• 3p GC-8 高圧下におけるヨウ素の構造相転移
• 31p GE-7 非晶質シリコン水素合金スパッタ膜の物性
• 5p-AD-10 PEの高圧下の融解・結晶化挙動
• 4a-AD-8 SSDを用いたEXAFS測定 II
• 3p-AD-5 PSDとダイヤモンドアンビルによる高圧X線回折
• 2a-BF-5 SSDを用いたEXAFSの測定
• 9p-E-11 PEのP-V関係と融解現象(IV)
• 11a-Z-7 NaCl構造InSbのXPS
• 4p-K-9 NaCl構造InSbの安定性
• 7p-S-8 PEのP-V関係と融解現象(III)
• 6p-B-12 X線光電子スペクトル(XPS)による非晶質Geの研究
• 遷移金属SILICIDEの圧力下における諸性質 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク