2p-F-17 a-Si:Hにおける変調光電流

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1985-09-13

著者

• 山口 政晃

  物性研

• 森垣 和夫

  物性研

• 山口 政晃

  東大工

関連論文

• 3p-RM-3 トンネル効果によるアモルファスSi_Au_xの超電導と電予局在の研究
• 13a-D-4 a-Si_Au_x:Hの金属絶縁体転移と超電導
• 27p-HE-10 アモルファスSi_Au_xの超電導
• 27p-HE-9 a-Si:Au系の磁気抵抗
• 29p-G-3 シンクロトロン放射光電子分光法によるCaSi_2の電子状態の研究
• 2a-KB-8 CaSi_2のシンクロトロン放射分光
• 12p-D-10 a-Si:H,a-Si_Cx:H,a-Si_Nx:Hにおける新しい光検波ESR信号
• 29a-S-3 a-Si:Hにおける水素を近傍にもつダングリングボンドの構造
• 31p-F-2 aーSi:H/a-Si_3N_4:H超格子膜のESR
• 29p-B-4 a-Si_Au_x:HにおけるODMR,ESR,光誘起吸収
• 4a-D-1 a-Si_Au_x2:H薄膜の光学的性質
• 3a-A2-12 a-Si:Hのアニール効果
• 30p-A-9 多結晶シリコンの電子輸送現象
• 30a-B-12 アモルファスSi:Au系およびSi:Au:H系の金属・非金属転移
• 2p-J-8 不均一系 : a-Si_Au_x
• 27a-G-11 a-Si:Hにおけるダングリングボンド中心のENDORと光誘起効果
• 30a-A-5 a-Si:HのENDOR
• 30a-F-4 スパッターa-Si,GDa-Si:H,GDa-Si:H,Fにおける光検波ESR
• a-Si:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニールII
• 2p-F-13 アモルファスSi-Au:H系の交流伝導とgranularity
• 2p-TB-1 高密度励起子によるマイクロ波伝導
• 4a-A-2 Pドープa-S:Hの光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR
• 27a-G-7 a-Si:Hにおけるルミネッセンス光照射効果 : 低温照射と室温照射の違い
• 30a-A-9 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(III)
• 2p-F-20 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(II)
• 4a-A-5 a-Si:Hにおける光誘起中心とギャップ状態
• 1p-PS-18 ディシラン分解a-Si:Hにおける時間分解ルミネッセンスとパルスODMR
• 1p-PS-16 モノシラン、ディシラン分解a-Si:Hにおけるルミネッセンス疲労とODMR
• 27a-SB-11 a-Si_C_x : Hにおける光検波ESR
• 5a-C-10 a-Si_N_X:H系バンド端変調構造膜の物性(II)
• 3a-A2-11 PDS法によるa-Si:H/a-Si_N_x:H超格子の界面欠陥
• 3a-A2-10 a-Si:H系バンド端変調構造膜の作製とその物性
• 27a-G-10 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の、時間分解ODMR
• 27a-G-9 1次元規則及び不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出電子スピン共鳴
• 27a-G-5 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の光熱偏向分光法による吸収スペクトル
• 27a-G-4 一次元規則および不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜のルミネッセンスとODMR
• 20aYJ-8 微結晶シリコンにおける異方的磁気中心
• Hyperfine Structure of Hydrogen Atoms in Hydrogenated Amorphous Silicon
• 27aC-3 a-Si:H系バンド端変調構造膜のESR
• Microwave Power Dependence of Deconvolution of Dangling Bond ESR Spectra in a-Si:H
• Temperature Dependence of Photoconductivity and Self-Trapping of Holes in a-Si:H
• 30p-L-3 As_2Se_3/As_2S_8多層膜のフォトルミネッセンス
• 25a-ZG-10 a-Si_N_x:Hにおける物性と水素量との相関
• 30a-W-8 a-Si:H系バンド端変調構造膜の光伝導
• 30a-W-2 As_2Se_3/As_2S_8非晶質多層膜の光学吸収特性
• 30a-W-1 微結晶-アモルファス混合相シリコン薄膜のルミネッセンス
• 26p-M-12 a-Si:Hにおける光誘起吸収と水素量との相関
• 26p-M-11 a-Si:H/a-Si_N_x:H超格子膜の界面欠陥
• 26p-M-7 アモルファス・シリコン系バンド端変調構造膜の光誘起吸収
• 26p-M-6 a-Si:HにおけるODENDORと水素量との相関
• 4a-D-6 a-Si:Hにおける水素量とUrbachエネルギーの関係
• 30a-A-2 a-Si:H/a-Si_N_x:H超格子膜の時間分解ルミネッセンス
• 2p-F-16 Pドープ a-Si:Hのギャップ状態と再結合過程 II
• 2a-K-7 a-Si:Hとその合金系の光学キャップとUrbachエネルギーの関係
• アモルファス半導体超格子膜の作製
• 30a-B-6 a-Si:Hにおける光検波ENDOR
• 30a-B-5 高水素a-Si:Hにおける光検波ESR
• 4a-NL-9 a-Si:Hにおける光検波ESR II 光照射による欠陥生成
• 4a-NL-8 a-Si:Hにおける光検波ESR I 再結合過程
• 5a-C-9 a-Si : Hにおける自己束縛正孔中心(A中心)の局所構造
• 2a-A-3 n型GeドナーESR誘起伝導機構
• 3a-A2-14 a-Si:H/a-Si_3N_4:H超格子膜の時間分解ルミネッセンスの温度依存性
• 4a-C-4 Ge_Au_x系薄膜の超伝導
• 2p-F-17 a-Si:Hにおける変調光電流
• 1p-PS-19 a-Si_Fe_x,:Hにおけるホッピング伝導
• 2a-W-27 a-Si:Hルミネッセンス疲労効果の励起波長依存症
• 1p-BJ-7 Ge における電子-正孔液滴の荷電と光伝導 II
• 13a-K-14 CdSの不純物伝導とESR
• 5p-K-7 カルコゲナイドガラスの短寿命螢光
• 12p-D-5 シロキセン(Si_6(OH)_3H_3)の時間分解ルミネッセンス
• 27a-SB-15 a-Si : Hにおける光誘起吸収の光照射効果
• 1p-B-16 a-Si: Hにおける光検波ESRのスペクトル依存性と非輻射再結合中心
• 不規則格子のクラスターとスピン状態 : 半導体, 光物性, イオン結晶合同シンポジウム : 不規則格子と不純物伝導
• 7a-B-3 SiドナーESRによる抵抗減少 II
• 7a-B-2 GeのドナーESRによる抵抗変化
• 3a-N-12 SiのドナーESRによる抵抗減少
• 3a-N-11 n型Siのミリ波ホットエレクトロン効果
• 18a-A-5 n-InSbのミリ波ESR
• GaPのドナー・スピン共鳴 : 半導体 (下純物)
• 補償されたn型Siのミリ波ESR : 半導体 (下純物)
• 27a-LE-3 a-Si:H/a-Si_Nx:H超格子のODMR,光誘起吸収,ESR(半導体)
• 1a-FC-9 ノンドープ,P-ドープa-Si:HのLESR(1a FC 半導体(アモルファス))
• 1a-FC-8 a-Si:H系の時間分解ODMR(1a FC 半導体(アモルファス))
• 1a-D1-5 Pドープa-Si:Hのギャップ状態と再結合過程(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
• 1a-D1-6 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク