3a-A2-12 a-Si:Hのアニール効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1988-09-16
著者
関連論文
- 3p-RM-3 トンネル効果によるアモルファスSi_Au_xの超電導と電予局在の研究
- 薄膜・表面
- 29a-S-3 a-Si:Hにおける水素を近傍にもつダングリングボンドの構造
- 31p-F-2 aーSi:H/a-Si_3N_4:H超格子膜のESR
- 29p-B-4 a-Si_Au_x:HにおけるODMR,ESR,光誘起吸収
- 4a-D-1 a-Si_Au_x2:H薄膜の光学的性質
- 3a-A2-12 a-Si:Hのアニール効果
- 30p-A-9 多結晶シリコンの電子輸送現象
- 2p-J-8 不均一系 : a-Si_Au_x
- 薄膜・表面
- 薄膜・表面
- a-Si:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニールII
- 2p-F-13 アモルファスSi-Au:H系の交流伝導とgranularity
- 30a-A-9 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(III)
- 2p-F-20 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(II)
- 5a-C-10 a-Si_N_X:H系バンド端変調構造膜の物性(II)
- 3a-A2-11 PDS法によるa-Si:H/a-Si_N_x:H超格子の界面欠陥
- 3a-A2-10 a-Si:H系バンド端変調構造膜の作製とその物性
- 27a-G-10 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の、時間分解ODMR
- 27a-G-9 1次元規則及び不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出電子スピン共鳴
- 27a-G-5 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の光熱偏向分光法による吸収スペクトル
- 27a-G-4 一次元規則および不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜のルミネッセンスとODMR
- 20aYJ-8 微結晶シリコンにおける異方的磁気中心
- Hyperfine Structure of Hydrogen Atoms in Hydrogenated Amorphous Silicon
- 27aC-3 a-Si:H系バンド端変調構造膜のESR
- Microwave Power Dependence of Deconvolution of Dangling Bond ESR Spectra in a-Si:H
- Temperature Dependence of Photoconductivity and Self-Trapping of Holes in a-Si:H
- 30p-L-3 As_2Se_3/As_2S_8多層膜のフォトルミネッセンス
- 25a-ZG-10 a-Si_N_x:Hにおける物性と水素量との相関
- 30a-W-8 a-Si:H系バンド端変調構造膜の光伝導
- 30a-W-2 As_2Se_3/As_2S_8非晶質多層膜の光学吸収特性
- 30a-W-1 微結晶-アモルファス混合相シリコン薄膜のルミネッセンス
- 26p-M-12 a-Si:Hにおける光誘起吸収と水素量との相関
- 26p-M-11 a-Si:H/a-Si_N_x:H超格子膜の界面欠陥
- 26p-M-7 アモルファス・シリコン系バンド端変調構造膜の光誘起吸収
- 26p-M-6 a-Si:HにおけるODENDORと水素量との相関
- 4a-D-6 a-Si:Hにおける水素量とUrbachエネルギーの関係
- 2a-K-7 a-Si:Hとその合金系の光学キャップとUrbachエネルギーの関係
- アモルファス半導体超格子膜の作製
- 3a-A2-13 水素化アモルファスシリコンにおける光検波ENDOR及び高周波ODMR
- 3a-A2-14 a-Si:H/a-Si_3N_4:H超格子膜の時間分解ルミネッセンスの温度依存性
- 4a-C-4 Ge_Au_x系薄膜の超伝導
- 2p-F-17 a-Si:Hにおける変調光電流
- 1p-PS-19 a-Si_Fe_x,:Hにおけるホッピング伝導
- 28p-H-2 a-Si_Au_x:H膜のルミネッセンス(28pH 半導体(アモルファス))