3a-A2-13 水素化アモルファスシリコンにおける光検波ENDOR及び高周波ODMR
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1988-09-16
著者
関連論文
- 3a-A2-12 a-Si:Hのアニール効果
- 28a-G-12 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造II(実験)
- 29p-Q-8 ダイヤモンドのNVセンターの^< 13 > C 超微細構造
- 28p-ZD-14 ダイヤモンドのNVセンターの^Cによる超微細構造
- 27p-D-3 合成ダイヤモンドのカラーセンターの^Nおよび^CによるENDOR
- 30a-W-9 a-Si:H、a-Si:DのESRスペクトルの解析とアニール効果
- 27a-W-16 Ib型ダイヤモンドのフォトクロミズムとESR
- 3a-W-1 光励起下でのダイヤモンドのESR
- 3p-E-4 SQUID磁力計を用いた光励起緩和過程の新しい測定法
- 29a-M-7 SQUIDによる光励起したSiの磁性の測定
- 3a-A2-11 PDS法によるa-Si:H/a-Si_N_x:H超格子の界面欠陥
- 3a-A2-10 a-Si:H系バンド端変調構造膜の作製とその物性
- 26p-M-12 a-Si:Hにおける光誘起吸収と水素量との相関
- 26p-M-7 アモルファス・シリコン系バンド端変調構造膜の光誘起吸収
- 26p-M-6 a-Si:HにおけるODENDORと水素量との相関
- 29p-B-3 高圧処理されたa-Si:HにおけるODMRとODENDOR
- 2p-KP-6 Si:Pの光磁気効果とDn状態の寿命
- 30p-P-13 光磁気効果へのSQUIDの応用
- 1a-L-5 SQUID磁束計による光磁気効果の測定
- SQUID-ESRと光磁気効果の測定
- 29p-J-3 SQUID磁束計を用いた電子スピン共鳴の観測II
- 27a-B-3 Si:Pにおける光誘起磁気モーメントの観測 : 光磁気効果とESRの比較
- 2a-A-3 Si:P中のD^-状態の緩和(II)
- 2a-A-2 SiのD^-中心の光磁気効果(I)
- 11p-E-6 SiのD^-_n状態の光磁気効果とその寿命
- SQUIDの光磁気効果測定への応用
- 2a-C-11 SQUID磁束計による光磁気効果の測定 II
- 30a-W-7 a-Si:Hにおける光誘起欠陥生成と水素の微視的分布の相関 : 圧力効果との比較
- 2a-K-8 a-Si:HにおけるODENDOR
- 光検波電子核2重共鳴の実験法
- 5a-C-9 a-Si : Hにおける自己束縛正孔中心(A中心)の局所構造
- 3a-A2-13 水素化アモルファスシリコンにおける光検波ENDOR及び高周波ODMR
- 30p-Q-8 ポーラスシリコンにおける発光過程のダイナミクス
- 27p-ZF-1 はじめに : 現状と展望
- ODMR,ODENDOR (アモルファス半導体と新材料) -- (測定法)
- 3a-A2-14 a-Si:H/a-Si_3N_4:H超格子膜の時間分解ルミネッセンスの温度依存性
- 28p-H-5 a-Si:Hにおける光検出ENDOR(28pH 半導体(アモルファス))