近藤 道雄 | 東大物性研
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概要
関連著者
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近藤 道雄
東大物性研
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西田 良男
阪大基礎工
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森垣 和夫
東大物性研
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近藤 道雄
阪大基礎工
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山口 政晃
物性研
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山口 政晃
東大工
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足立 祐介
阪大基礎工
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内山 真吾
阪大基礎工
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森垣 和夫
物性研
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神田 久生
無機材研
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美田 佳三
阪大院基礎工
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山口 政晃
東大物性研
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美田 佳三
阪大基礎工
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越智 誠司
阪大・基礎工
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越智 誠司
阪大基礎工
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近藤 道雄
物性研
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八木 健彦
東大物性研
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社
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木村 豊
東海大
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内海 渉
日本原子力研究所関西研究所 放射光科学研究センター
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佐藤 周一
住友電工
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佐藤 周一
住友電気工業株式会社伊丹研究所
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疋田 春水
明海大
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森垣 和夫
物牲研
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武田 京三郎
Ntt基礎研
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藤木 道也
NTT基礎研
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西田 良男
阪大 基礎工
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藤木 道也
Ntt物性基礎研
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藤木 道也
Ntt物性基礎研究所 Crest-jst
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中島 猛
住友電工
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武田 候政
蓮見癌研
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中島 猛
住友電気工業株式会社伊丹研究所
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森 健三
阪大基礎工
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横道 治男
富山県立大工
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木村 豊
東海大理
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横道 治男
東大物性研
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李 瑛
東大物性研
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近藤 道雄
阪大 基礎工
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平野 嘉仁
阪大 基礎工
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江畑 恵司
阪大基礎工
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内海 渉
東大物性研
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中野 俊哉
阪大基礎工
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近藤 道雄
物牲研
著作論文
- 28a-G-12 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造II(実験)
- 29p-Q-8 ダイヤモンドのNVセンターの^< 13 > C 超微細構造
- 28p-ZD-14 ダイヤモンドのNVセンターの^Cによる超微細構造
- 27p-D-3 合成ダイヤモンドのカラーセンターの^Nおよび^CによるENDOR
- 30a-W-9 a-Si:H、a-Si:DのESRスペクトルの解析とアニール効果
- 27a-W-16 Ib型ダイヤモンドのフォトクロミズムとESR
- 3a-W-1 光励起下でのダイヤモンドのESR
- 3p-E-4 SQUID磁力計を用いた光励起緩和過程の新しい測定法
- 29a-M-7 SQUIDによる光励起したSiの磁性の測定
- 26p-M-12 a-Si:Hにおける光誘起吸収と水素量との相関
- 26p-M-7 アモルファス・シリコン系バンド端変調構造膜の光誘起吸収
- 26p-M-6 a-Si:HにおけるODENDORと水素量との相関
- 29p-B-3 高圧処理されたa-Si:HにおけるODMRとODENDOR
- 2p-KP-6 Si:Pの光磁気効果とDn状態の寿命
- 30p-P-13 光磁気効果へのSQUIDの応用
- 1a-L-5 SQUID磁束計による光磁気効果の測定
- SQUID-ESRと光磁気効果の測定
- 29p-J-3 SQUID磁束計を用いた電子スピン共鳴の観測II
- 27a-B-3 Si:Pにおける光誘起磁気モーメントの観測 : 光磁気効果とESRの比較
- 2a-A-3 Si:P中のD^-状態の緩和(II)
- 2a-A-2 SiのD^-中心の光磁気効果(I)
- 11p-E-6 SiのD^-_n状態の光磁気効果とその寿命
- SQUIDの光磁気効果測定への応用
- 2a-C-11 SQUID磁束計による光磁気効果の測定 II
- 30a-W-7 a-Si:Hにおける光誘起欠陥生成と水素の微視的分布の相関 : 圧力効果との比較
- 2a-K-8 a-Si:HにおけるODENDOR
- 光検波電子核2重共鳴の実験法
- 5a-C-9 a-Si : Hにおける自己束縛正孔中心(A中心)の局所構造
- 3a-A2-13 水素化アモルファスシリコンにおける光検波ENDOR及び高周波ODMR
- 30p-Q-8 ポーラスシリコンにおける発光過程のダイナミクス
- 27p-ZF-1 はじめに : 現状と展望
- ODMR,ODENDOR (アモルファス半導体と新材料) -- (測定法)
- 28p-H-5 a-Si:Hにおける光検出ENDOR(28pH 半導体(アモルファス))