横道 治男 | 東大物性研
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概要
関連著者
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横道 治男
東大物性研
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横道 治男
富山県立大工
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森垣 和夫
広島工大工
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森垣 和夫
東大物性研
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木村 豊
東海大
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疋田 春水
明海大
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蓮見癌研
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東海大理
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朝鮮大
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物性研
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物性研
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物性研
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仁田 昌二
岐阜大工
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物性研
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広島工大
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栗山 一男
法政工
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近藤 道雄
東大物性研
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栗山 一男
法大工
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天野 富大
富山県立大工
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横道 治男
東京大学物性研究所
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森垣 和夫
東京大学物性研究所
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浜中 広見
法大工
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金 致洙
朝鮮大科研
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白石 丈夫
立教大
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林 良英
埼玉工大
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金 致洙
朝鮮大工
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竹中 久
物性研
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荻原 千聡
物性研
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金 致沫
朝鮮大工
著作論文
- 25a-YE-3 フッ素化アモルファスカーボン膜の構造欠陥における電子状態の考察
- 31p-F-1 aーSi:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニール
- 29p-X-4 a-Si:Hにおける光誘起、熱誘起欠陥に対するアニール効果
- 電子核2重共鳴の実験法
- 30a-W-9 a-Si:H、a-Si:DのESRスペクトルの解析とアニール効果
- 29p-B-5 a-Si:HのESRスペクトルの解析と光照射効果
- 4a-D-7 Pドープa-Si:Hにおける凍結欠陥のESRと熱平衡過程
- 水素化アモルファスシリコンにおけるダングリングボンド中心の電子構造
- 27a-G-11 a-Si:Hにおけるダングリングボンド中心のENDORと光誘起効果
- 30a-A-5 a-Si:HのENDOR
- 30a-A-3 中性子照射したa-Si:Hの欠陥状態
- 27a-LE-3 a-Si:H/a-Si_Nx:H超格子のODMR,光誘起吸収,ESR(半導体)
- 27a-LE-1 P-ドープa-Si:Hのスピン緩和(半導体)