平林 泉 | 物性研
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概要
関連著者
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物性研
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小長井 誠
東京工業大学
著作論文
- 2a-KB-8 CaSi_2のシンクロトロン放射分光
- 12p-D-10 a-Si:H,a-Si_Cx:H,a-Si_Nx:Hにおける新しい光検波ESR信号
- 30a-A-5 a-Si:HのENDOR
- 30a-F-4 スパッターa-Si,GDa-Si:H,GDa-Si:H,Fにおける光検波ESR
- 4a-A-2 Pドープa-S:Hの光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR
- 4a-A-5 a-Si:Hにおける光誘起中心とギャップ状態
- 1p-PS-18 ディシラン分解a-Si:Hにおける時間分解ルミネッセンスとパルスODMR
- 1p-PS-16 モノシラン、ディシラン分解a-Si:Hにおけるルミネッセンス疲労とODMR
- 27a-SB-11 a-Si_C_x : Hにおける光検波ESR
- 2p-F-16 Pドープ a-Si:Hのギャップ状態と再結合過程 II
- 30a-B-6 a-Si:Hにおける光検波ENDOR
- 30a-B-5 高水素a-Si:Hにおける光検波ESR
- 4a-NL-9 a-Si:Hにおける光検波ESR II 光照射による欠陥生成
- 4a-NL-8 a-Si:Hにおける光検波ESR I 再結合過程
- 2a-W-27 a-Si:Hルミネッセンス疲労効果の励起波長依存症
- 12p-D-5 シロキセン(Si_6(OH)_3H_3)の時間分解ルミネッセンス
- 27a-SB-15 a-Si : Hにおける光誘起吸収の光照射効果
- 1p-B-16 a-Si: Hにおける光検波ESRのスペクトル依存性と非輻射再結合中心
- 1a-FC-9 ノンドープ,P-ドープa-Si:HのLESR(1a FC 半導体(アモルファス))
- 1a-D1-5 Pドープa-Si:Hのギャップ状態と再結合過程(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)