久米田 稔 | 金沢大工
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概要
関連著者
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久米田 稔
金沢大工
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清水 立生
金沢大工
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清水 立生
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石井 信彦
福井工大
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森本 章治
金沢大学
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上田 庄一
金沢大工
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久米田 稔
金沢大学
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Otsubo Shigeru
Department Of Electrical Engineering Ishikawa National College Of Tecchnology Tsubata
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森垣 和夫
物性研
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平林 泉
マックスプランク
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平林 泉
物性研
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山田 悟
石川高専
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大坪 茂
石川高専
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廣澤 信哉
金沢大学
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大坪 茂
石川工業高専
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山田 悟
石川工業高専
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谷村 泰樹
金沢大学
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楊 合
金沢大学
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清水 立生
金沢大学工学部電気・情報工学科
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横道 治男
金沢大工
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吉田 美穂子
物性研
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仁田 昌二
岐阜大工
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大空 静男
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長谷川 誠一
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仁田 昌二
岐阜大
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渡辺 一郎
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閔 勲基
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上島 泰
金沢大工
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久米田 稔
金沢大学工学部
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豊蔵 真木
金沢大工
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福井高
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福井高校
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久米田 稔
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須藤 昭一
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坂東 務
金沢大工
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小林 信夫
金沢大工
著作論文
- 交互堆積PLA法によるErドープLiNbO_3膜の作製とPL評価
- レーザリフトオフ法による金属薄膜のパターニングと温度シミュレーション
- 4a-A-12 a-Si_N_x:Hの光誘起ESR
- 12p-D-10 a-Si:H,a-Si_Cx:H,a-Si_Nx:Hにおける新しい光検波ESR信号
- 30a-B-10 a-Si_N_xの欠陥のESRの組成依存性
- 応用(2)エルビウム(Er)による1.5ミクロン帯発光 (アモルファス半導体と関連物質--乱れた系、アモルファス半導体、微結晶半導体 特集号) -- (2.アモルファスシリコン系)
- 31p-F-4 aーGeN:HのNMR
- アモルファスシリコンの光劣化のメカニズム
- 4a-A-1 a-SiにおけるSi-P複合欠陥の電子状態
- 1p-PS-21 Si系アモルファス半導体のフォノン状態密度(II)
- 12p-D-15 Siアモルファス半導体のフォノン状態密度
- 27a-SB-9 a-Siおよびa-Geの欠陥の電子状態
- 30a-F-14 a-Si_C_x:Hの^1HのNMR
- 30a-F-3 a-Siにおける欠陥の電子状態
- シリコン系アモルファス半導体の欠陥とESR()
- 4a-NL-10 アモルファスC,Si,Geのg-値の計算
- Si系アモルファス半導体の磁気共鳴による研究--HやFの入り方と欠陥
- 1p-B-9 アモルファスSi-C, Ge-C, Si-GeのESR
- 6a-KL-7 二元系カルコゲナイドガラス半導体中のMnのESR
- 6a-KL-6 非晶質半導体中のMnの結晶場定数D
- 1a-D1-11 Si系アモルファス半導体における弱い結合モデル(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
- 1a-FC-2 Si系二元合金アモルファス半導体における構造歪み(1a FC 半導体(アモルファス))