清水 立生 | 金沢大学
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概要
関連著者
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清水 立生
金沢大学
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久米田 稔
金沢大工
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清水 立生
金沢大工
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清水 立生
金沢大 工
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森本 章治
金沢大学
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石井 信彦
福井工大
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清水 立生
金沢大学工学部電気・情報工学科
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森本 章治
金沢大工
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清水 立生
金沢大学工学部
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森本 章治
金沢大学工学部
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大坪 茂
石川高専
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山田 悟
金沢大学
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Otsubo Shigeru
Department Of Electrical Engineering Ishikawa National College Of Tecchnology Tsubata
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上田 庄一
金沢大工
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田中 克彦
(株)村田製作所
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森垣 和夫
物性研
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平林 泉
マックスプランク
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平林 泉
物性研
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米澤 保人
石川県工試
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卯野 高史
金沢大学
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櫻井 敦
(株)村田製作所
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李 効民
(株)村田製作所
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白露 幸祐
(株)村田製作所
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坂部 行雄
(株)村田製作所
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重野 英樹
金沢大学工学部電気・情報工学科
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米沢 保人
石川県工業試験場
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横道 治男
金沢大工
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吉田 美穂子
物性研
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仁田 昌二
岐阜大工
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大空 静男
金沢大工
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田中 克彦
村田製作所
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李 効民
株式会社 村田製作所
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米沢 富美子
慶大理工
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米澤 保人
石川県工業試験場
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森垣 和夫
東大物性研
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桜井 敦
(株)村田製作所
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仁田 昌二
岐阜大
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桜井 敦
村田製作所
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米沢 富美子
日本物理学会
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閔 勲基
金沢大工
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上島 泰
金沢大工
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久米田 稔
金沢大学工学部
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豊蔵 真木
金沢大工
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中沢 憲二
金沢大工
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白露 幸祐
R & D Division Murata Mfg. Co. Ltd.
著作論文
- PLA法によるGe液滴冷却過程の温度シミュレーション
- レーザアブレーション法によるSi(100)基板上へのTiN膜のエピタキシャル成長
- MOCVD法によるPZT薄膜のエピタキシャル成長
- レーザアブレーションによるPZT強誘電体薄膜用Ti-Al-N電極の検討
- レーザーアブレーションによる光磁気記録用ビスマス置換希土類-鉄ガーネット薄膜の作製
- 水素化Si系アモルファス合金の構造と物性
- 4a-A-12 a-Si_N_x:Hの光誘起ESR
- 12p-D-10 a-Si:H,a-Si_Cx:H,a-Si_Nx:Hにおける新しい光検波ESR信号
- 30a-B-10 a-Si_N_xの欠陥のESRの組成依存性
- 第10回アモルファスおよび液体半導体国際会議
- 熱平衡過程 (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
- 水素化アモルファスSi系薄膜の熱平衡過程
- シリコン系アモルファス半導体の構造 (アモルファス物質-2-(特集号)) -- (アモルファス半導体)
- 応用(2)エルビウム(Er)による1.5ミクロン帯発光 (アモルファス半導体と関連物質--乱れた系、アモルファス半導体、微結晶半導体 特集号) -- (2.アモルファスシリコン系)
- 31p-F-4 aーGeN:HのNMR
- アモルファスシリコンの光劣化のメカニズム
- J. D. Joannopoulos and G. Lucovsky 編: The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon, 2; Electronic and Vibrational Properties, Springer-Verlag, Berlin and New York, 1984, xiv+360ぺージ, 24×16.5cm, DM118 (Topics in Applied Physics, Vol. 56).
- 4a-A-1 a-SiにおけるSi-P複合欠陥の電子状態
- 1p-PS-21 Si系アモルファス半導体のフォノン状態密度(II)
- 12p-D-15 Siアモルファス半導体のフォノン状態密度
- 27a-SB-9 a-Siおよびa-Geの欠陥の電子状態
- 30a-F-14 a-Si_C_x:Hの^1HのNMR