清水 立生 | 金沢大学工学部
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概要
関連著者
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清水 立生
金沢大学工学部電気・情報工学科
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清水 立生
金沢大学工学部
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清水 立生
金沢大学
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森本 章治
金沢大学
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森本 章治
金沢大学工学部
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渡辺 一郎
金沢大工
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清水 立生
金沢大 工
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久米田 稔
金沢大学工学部
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渡辺 一郎
金沢大学工学部電子工学科
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重野 英樹
金沢大学工学部電気・情報工学科
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米沢 保人
石川県工業試験場
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久米田 稔
金沢大工
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鈴木 正國
金沢大学工学部
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鈴木 正国
金沢大工
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南 克彦
金沢大学工学部
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中尾 彰
東京芝浦電気株式会社
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前川 敏一
金沢大学工学部
著作論文
- レーザアブレーションによるPZT強誘電体薄膜用Ti-Al-N電極の検討
- レーザーアブレーションによる光磁気記録用ビスマス置換希土類-鉄ガーネット薄膜の作製
- アモルファス半導体研究の30年とこれからの課題
- 非晶質半導体のギャップ中の局在状態
- 4p-D-2 アンドープa-Si:Hおよび合金薄膜における熱平衡過程
- シリコン系水素化アモルファス半導体中の構造欠陥と水素の役割
- 3p-BB-9 アモルファス半導体におけるESRとNMR
- 非晶質半導体の欠陥状態と伝導の型
- 3a-H-6 LCAO MO法によるシリコンにおけるS+ドナーの電子状態
- アモルファスシリコンの光劣化のメカニズム
- Two Band Approximationによる不規則格子の電子状態II : ホール効果と熱起電能
- Two Band Approximationによる不規則格子の電子状態I : 状態密度と易動度
- 高アルゴン圧rfスパッタによるアモルファスシリコンの不純物効果と吸着効果