レーザアブレーションによるPZT強誘電体薄膜用Ti-Al-N電極の検討

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概要

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PZTなどの強誘電体酸化物薄膜の電極材料として、TiNに耐酸化性改善のためAlを添加したTi-Al-N(TANと略)をパルスレーザアブレーション(PLA)で作製条件を変えて作製し、結晶構造評価や電気特性の評価を行った。その結果、用いるターゲットの密度を増加させることにより、結晶成長が促進される傾向にあることがわかった。また、作製されたTAN薄膜の結晶成長、混入酸素濃度、表面形態や電気伝導度はPLA時の雰囲気窒素圧力に大きく依存することがわかった。すなわち、雰囲気として微量の窒素ガスを導入することによりTAN薄膜の結晶成長が促進され、酸素濃度が低減された。しかし、過剰な雰囲気窒素圧力の増加は、再び酸素濃度を増加させ、薄膜の表面形態を劣化させ、結晶成長を阻害することがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-11-07

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