熱平衡過程 (アモルファス半導体と新材料<特集>) -- (アモルファスシリコンとその合金系)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• アグネ技術センタ-の論文

著者

• 清水 立生

  金沢大学

関連論文

• PLA法によるGe液滴冷却過程の温度シミュレーション
• レーザアブレーション法によるSi(100)基板上へのTiN膜のエピタキシャル成長
• MOCVD法によるPZT薄膜のエピタキシャル成長
• レーザアブレーションによるPZT強誘電体薄膜用Ti-Al-N電極の検討
• レーザーアブレーションによる光磁気記録用ビスマス置換希土類-鉄ガーネット薄膜の作製
• 水素化Si系アモルファス合金の構造と物性
• 4a-A-12 a-Si_N_x:Hの光誘起ESR
• 12p-D-10 a-Si:H,a-Si_Cx:H,a-Si_Nx:Hにおける新しい光検波ESR信号
• 30a-B-10 a-Si_N_xの欠陥のESRの組成依存性
• 第10回アモルファスおよび液体半導体国際会議
• 熱平衡過程 (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
• 水素化アモルファスSi系薄膜の熱平衡過程
• シリコン系アモルファス半導体の構造 (アモルファス物質-2-(特集号)) -- (アモルファス半導体)
• 応用(2)エルビウム(Er)による1.5ミクロン帯発光 (アモルファス半導体と関連物質--乱れた系、アモルファス半導体、微結晶半導体 特集号) -- (2.アモルファスシリコン系)
• 31p-F-4 aーGeN:HのNMR
• アモルファスシリコンの光劣化のメカニズム
• J. D. Joannopoulos and G. Lucovsky 編: The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon, 2; Electronic and Vibrational Properties, Springer-Verlag, Berlin and New York, 1984, xiv+360ぺージ, 24×16.5cm, DM118 (Topics in Applied Physics, Vol. 56).
• 4a-A-1 a-SiにおけるSi-P複合欠陥の電子状態
• 1p-PS-21 Si系アモルファス半導体のフォノン状態密度(II)
• 12p-D-15 Siアモルファス半導体のフォノン状態密度
• 27a-SB-9 a-Siおよびa-Geの欠陥の電子状態
• 30a-F-14 a-Si_C_x:Hの^1HのNMR

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク