12p-D-15 Siアモルファス半導体のフォノン状態密度

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1983-09-13

著者

• 清水 立生

  金沢大学

• 久米田 稔

  金沢大工

• 清水 立生

  金沢大工

• 石井 信彦

  福井工大

関連論文

• 交互堆積PLA法によるErドープLiNbO_3膜の作製とPL評価
• レーザリフトオフ法による金属薄膜のパターニングと温度シミュレーション
• PLA法によるGe液滴冷却過程の温度シミュレーション
• レーザアブレーション法によるSi(100)基板上へのTiN膜のエピタキシャル成長
• MOCVD法によるPZT薄膜のエピタキシャル成長
• レーザアブレーションによるPZT強誘電体薄膜用Ti-Al-N電極の検討
• レーザーアブレーションによる光磁気記録用ビスマス置換希土類-鉄ガーネット薄膜の作製
• 水素化Si系アモルファス合金の構造と物性
• 4a-A-12 a-Si_N_x:Hの光誘起ESR
• 12p-D-10 a-Si:H,a-Si_Cx:H,a-Si_Nx:Hにおける新しい光検波ESR信号
• 30a-B-10 a-Si_N_xの欠陥のESRの組成依存性
• 第7回非晶質および液体半導体国際会議
• 非晶質半導体に関する二つの国際会議
• 第10回アモルファスおよび液体半導体国際会議
• 熱平衡過程 (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
• 水素化アモルファスSi系薄膜の熱平衡過程
• シリコン系アモルファス半導体の構造 (アモルファス物質-2-(特集号)) -- (アモルファス半導体)
• 応用(2)エルビウム(Er)による1.5ミクロン帯発光 (アモルファス半導体と関連物質--乱れた系、アモルファス半導体、微結晶半導体 特集号) -- (2.アモルファスシリコン系)
• 31p-F-4 aーGeN:HのNMR
• アモルファスシリコンの光劣化のメカニズム
• J. D. Joannopoulos and G. Lucovsky 編: The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon, 2; Electronic and Vibrational Properties, Springer-Verlag, Berlin and New York, 1984, xiv+360ぺージ, 24×16.5cm, DM118 (Topics in Applied Physics, Vol. 56).
• 4a-A-1 a-SiにおけるSi-P複合欠陥の電子状態
• 1p-PS-21 Si系アモルファス半導体のフォノン状態密度(II)
• 12p-D-15 Siアモルファス半導体のフォノン状態密度
• 27a-SB-9 a-Siおよびa-Geの欠陥の電子状態
• 30a-B-3 a-Si:H, a-Si:H:Fの核磁気緩和
• 31a-F-4 磁気共鳴
• 30a-F-14 a-Si_C_x:Hの^1HのNMR
• 30a-F-3 a-Siにおける欠陥の電子状態
• シリコン系アモルファス半導体の欠陥とESR()
• 4a-NL-11 a-Si:H,a-Si:H:FのNMR--motional narrowing--
• 4a-NL-10 アモルファスC,Si,Geのg-値の計算
• 2a-W-24 a-Si中の^1H, ^FのNMR
• Si系アモルファス半導体の磁気共鳴による研究--HやFの入り方と欠陥
• 1p-B-9 アモルファスSi-C, Ge-C, Si-GeのESR
• 1p-B-8 非晶質Ge-Sの不純物効果
• 12p-R-6 非晶質Ge-S-AgのESR
• 7a-U-12 Ge-S-X非晶質半導体の電気,光学的性質
• 6a-KL-7 二元系カルコゲナイドガラス半導体中のMnのESR
• 1a-TC-2 Ge表面のESR I
• 29a-D-2 水素化アモルファスSiのNMR
• 5a-B-4 非晶質カルコゲナイド半導体の NMR IV
• 31a GE-4 非晶質カルコゲナイド半導体のNMR (III)
• 6a-LT-6 非晶質カルコゲナイド半導体のNMR(II)
• 3p-BJ-8 非昌質半導体 Mz(As_0.4Se_0.6)_1-x の ^77Se の NMR
• 6a-LT-1 化学結合論による非晶質半導体の電子状態
• 23p-L-10 イオン打ち込みSiにおける格子欠陥の活性化エネルギー
• 22a-G-1 Si中の伝導電子のESR
• 3a-H-9 イオン打込みSiの伝導電子のESR線幅
• 3a-H-8 イオン打込みSiに於ける欠陥のESR
• 7a-B-5 イオン打ち込みSiのESR
• 3a-N-7 イオン打ち込みシリコンのESRI 格子欠陥
• 1a-TE-2 放射線照射したポリアクリロニトリルのESR
• 1a-L-3 高熱処理ポリアクリルニトリルのESRの温度変化
• 7a-U-11 分子軌道法によるカルコゲナイド非晶質半導体の電子状態
• 25a-YE-5 a-CN系薄膜のC≡N伸縮振動における共役
• 4p-K-12 分子軌道法による半導体表面の電子状態 III
• 4p-K-10 NaCl型InSbのバンド構造
• 6a-B-13 分子軌道法による半導体表面の電子状態 II
• 7p-U-6 拡張されたヒュッケル法によるダイヤモンド型並びにせん亜鉛鉱型半導体のバンド構造とその圧力依存性
• 7a-U-9 分子軌道法による半導体表面の電子状態
• 6a-KL-6 非晶質半導体中のMnの結晶場定数D
• 2p-Q-8 III-V族化合物半導体の(111)清浄表面の電子状態 : そのエネルギー分布と化合物依存性
• 31a KA-4 Si(111)表面に吸着したIII族原子の電子状態
• 3p-AC-8 Si(111)表面へのAlの吸着に対する分子軌道計算
• 31p-CA-8 化合物半導体表面の電子状態 II
• 11a-R-6 化合物半導体表面の電子状態
• ダイヤモンド中の置換型Ni不純物に対する超微細結合定数の計算II
• ダイヤモンド中の置換型Ni不純物に対する超微細結合定数の計算
• 1a-D1-11 Si系アモルファス半導体における弱い結合モデル(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
• 1a-FC-2 Si系二元合金アモルファス半導体における構造歪み(1a FC 半導体(アモルファス))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク