ダイヤモンド中の置換型Ni不純物に対する超微細結合定数の計算II

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 福井工業大学の論文
• 2002-03-20

著者

• 石井 信彦

  福井工大

関連論文

• 30a-B-10 a-Si_N_xの欠陥のESRの組成依存性
• 4a-A-1 a-SiにおけるSi-P複合欠陥の電子状態
• 1p-PS-21 Si系アモルファス半導体のフォノン状態密度(II)
• 12p-D-15 Siアモルファス半導体のフォノン状態密度
• 27a-SB-9 a-Siおよびa-Geの欠陥の電子状態
• 25a-YE-5 a-CN系薄膜のC≡N伸縮振動における共役
• ダイヤモンド中の置換型Ni不純物に対する超微細結合定数の計算II
• ダイヤモンド中の置換型Ni不純物に対する超微細結合定数の計算
• 1a-D1-11 Si系アモルファス半導体における弱い結合モデル(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
• 1a-FC-2 Si系二元合金アモルファス半導体における構造歪み(1a FC 半導体(アモルファス))

スポンサーリンク