アモルファスシリコンの光劣化のメカニズム
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
交互堆積PLA法によるErドープLiNbO_3膜の作製とPL評価
-
レーザリフトオフ法による金属薄膜のパターニングと温度シミュレーション
-
PLA法によるGe液滴冷却過程の温度シミュレーション
-
レーザアブレーション法によるSi(100)基板上へのTiN膜のエピタキシャル成長
-
MOCVD法によるPZT薄膜のエピタキシャル成長
-
レーザアブレーションによるPZT強誘電体薄膜用Ti-Al-N電極の検討
-
レーザーアブレーションによる光磁気記録用ビスマス置換希土類-鉄ガーネット薄膜の作製
-
水素化Si系アモルファス合金の構造と物性
-
4a-A-12 a-Si_N_x:Hの光誘起ESR
-
12p-D-10 a-Si:H,a-Si_Cx:H,a-Si_Nx:Hにおける新しい光検波ESR信号
-
30a-B-10 a-Si_N_xの欠陥のESRの組成依存性
-
第10回アモルファスおよび液体半導体国際会議
-
アモルファス半導体研究の30年とこれからの課題
-
非晶質半導体のギャップ中の局在状態
-
熱平衡過程 (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
-
水素化アモルファスSi系薄膜の熱平衡過程
-
シリコン系アモルファス半導体の構造 (アモルファス物質-2-(特集号)) -- (アモルファス半導体)
-
4p-D-2 アンドープa-Si:Hおよび合金薄膜における熱平衡過程
-
シリコン系水素化アモルファス半導体中の構造欠陥と水素の役割
-
3p-BB-9 アモルファス半導体におけるESRとNMR
-
非晶質半導体の欠陥状態と伝導の型
-
3a-H-6 LCAO MO法によるシリコンにおけるS+ドナーの電子状態
-
応用(2)エルビウム(Er)による1.5ミクロン帯発光 (アモルファス半導体と関連物質--乱れた系、アモルファス半導体、微結晶半導体 特集号) -- (2.アモルファスシリコン系)
-
31p-F-4 aーGeN:HのNMR
-
アモルファスシリコンの光劣化のメカニズム
-
J. D. Joannopoulos and G. Lucovsky 編: The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon, 2; Electronic and Vibrational Properties, Springer-Verlag, Berlin and New York, 1984, xiv+360ぺージ, 24×16.5cm, DM118 (Topics in Applied Physics, Vol. 56).
-
4a-A-1 a-SiにおけるSi-P複合欠陥の電子状態
-
1p-PS-21 Si系アモルファス半導体のフォノン状態密度(II)
-
12p-D-15 Siアモルファス半導体のフォノン状態密度
-
27a-SB-9 a-Siおよびa-Geの欠陥の電子状態
-
30a-F-14 a-Si_C_x:Hの^1HのNMR
-
30a-F-3 a-Siにおける欠陥の電子状態
-
シリコン系アモルファス半導体の欠陥とESR()
-
4a-NL-10 アモルファスC,Si,Geのg-値の計算
-
Si系アモルファス半導体の磁気共鳴による研究--HやFの入り方と欠陥
-
1p-B-9 アモルファスSi-C, Ge-C, Si-GeのESR
-
6a-KL-7 二元系カルコゲナイドガラス半導体中のMnのESR
-
Two Band Approximationによる不規則格子の電子状態II : ホール効果と熱起電能
-
Two Band Approximationによる不規則格子の電子状態I : 状態密度と易動度
-
高アルゴン圧rfスパッタによるアモルファスシリコンの不純物効果と吸着効果
-
6a-KL-6 非晶質半導体中のMnの結晶場定数D
-
1a-D1-11 Si系アモルファス半導体における弱い結合モデル(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
-
1a-FC-2 Si系二元合金アモルファス半導体における構造歪み(1a FC 半導体(アモルファス))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク