清水 立生 | 金沢大学工学部電気・情報工学科

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概要

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• 渡辺 一郎

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• 久米田 稔

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• 渡辺 一郎

  金沢大学工学部電子工学科

• 重野 英樹

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• 米沢 保人

  石川県工業試験場

• 久米田 稔

  金沢大工

• 鈴木 正國

  金沢大学工学部

• 鈴木 正国

  金沢大工

• 南 克彦

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• 中尾 彰

  東京芝浦電気株式会社

• 前川 敏一

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著作論文

• レーザアブレーションによるPZT強誘電体薄膜用Ti-Al-N電極の検討
• レーザーアブレーションによる光磁気記録用ビスマス置換希土類-鉄ガーネット薄膜の作製
• アモルファス半導体研究の30年とこれからの課題
• 非晶質半導体のギャップ中の局在状態
• 4p-D-2 アンドープa-Si:Hおよび合金薄膜における熱平衡過程
• シリコン系水素化アモルファス半導体中の構造欠陥と水素の役割
• 3p-BB-9 アモルファス半導体におけるESRとNMR
• 非晶質半導体の欠陥状態と伝導の型
• 3a-H-6 LCAO MO法によるシリコンにおけるS+ドナーの電子状態
• アモルファスシリコンの光劣化のメカニズム
• Two Band Approximationによる不規則格子の電子状態II : ホール効果と熱起電能
• Two Band Approximationによる不規則格子の電子状態I : 状態密度と易動度
• 高アルゴン圧rfスパッタによるアモルファスシリコンの不純物効果と吸着効果

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