長谷川 誠一 | 金沢大工
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概要
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著作論文
- シリコン系アモルファス半導体の欠陥とESR()
- 23p-L-10 イオン打ち込みSiにおける格子欠陥の活性化エネルギー
- 22a-G-1 Si中の伝導電子のESR
- 3a-H-9 イオン打込みSiの伝導電子のESR線幅
- 3a-H-8 イオン打込みSiに於ける欠陥のESR
- 7a-B-5 イオン打ち込みSiのESR
- 3a-N-8 イオン打ち込みシリコンのESR II 伝導電子
- 3a-N-7 イオン打ち込みシリコンのESRI 格子欠陥
- 1a-TE-2 放射線照射したポリアクリロニトリルのESR
- 1a-L-3 高熱処理ポリアクリルニトリルのESRの温度変化
- 14a-M-4 ポリアクリルニトリルのESRの熱処理温度による変化