平林 泉 | 東大物性研
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概要
関連著者
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平林 泉
東大物性研
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マックスプランク
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佐野 興志雄
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林 良英
埼玉大工
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金 致沫
朝鮮大工
著作論文
- 30a-A-3 中性子照射したa-Si:Hの欠陥状態
- 29a-D-9 GD-a-Siにおけるルミネッセンスの疲労現象
- 4p-B-11 GD-aSi の発光 II : 定常状態スペクトルと光照射効果
- 4p-B-10 GD-aSi の発光 I : 時間分解ルミネッセンス
- 30a-B-7 高水素a-Si:Hのルミネッセンス疲労におけるアニール効果と光誘起ESR
- 30a-A-4 ジシラン分解膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR
- 2p-F-21 Pドープa-Si:HのLESR
- 30a-F-11 a-Si:HにおけるENDOR
- 1p-B-17 a-Si: Hにおける時間分解ルミネッセンスの温度依存性
- K. Tanaka and T. Shimizu, ed.: Amorphous and Liquid Semiconductors, 10: Proceedings of the 10th International Conference, Tokyo, 1983, Pts. I and II, North-Holland, Amsterdam, 1983, 2vols. (xxvi+1326ページ), 24.5×17.5cm (Journal of Non-Crystalline Solids, Vo
- 1p-PS-17 a-Si:Hにおける光誘起吸収
- 30a-B-9 乱れた層状硅素化合物シロキセンの構造
- 30a-F-5 Si_6H_3(OH)_3(シロキセン)のルミネッセンス及びその光照射効果
- 29a-D-7 GD A-Siにおけるスピンに依存した非輻射再結合
- 27a-LE-1 P-ドープa-Si:Hのスピン緩和(半導体)
- 1a-D1-1 中性子照射a-S_i:HのPA及びODMR(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)