山口 政晃 | 東大物性研
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概要
関連著者
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山口 政晃
東大物性研
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森垣 和夫
東大物性研
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山口 政晃
東大工
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山口 政晃
物性研
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藤田 安彦
都立科技大工
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広島工大
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東大物性研
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物性研:金材技研
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物質・材料研究機構
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大野 和郎
東大物性研
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明海大
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近藤 道雄
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東京大学物性研究所
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法大工
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藤田 安彦
都立科技大
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東海大
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山口大工
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岐阜大・工
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嶋川 晃一
岐阜大・工
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日大文理
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蓮見癌研
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東大物性研
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東大物性研
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二渡 茂
法大工
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数家 啓太
法大工
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荻原 千聡
東大物性研
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藤田 安彦
都立工短
著作論文
- 29a-S-3 a-Si:Hにおける水素を近傍にもつダングリングボンドの構造
- 31p-F-2 aーSi:H/a-Si_3N_4:H超格子膜のESR
- 30p-A-9 多結晶シリコンの電子輸送現象
- 30a-F-15 アモルファスSi:Au系の金属・非金属転移
- 1p-L-2 アモルファスSiAuの低温における抵抗測定
- a-Si:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニールII
- 2p-F-13 アモルファスSi-Au:H系の交流伝導とgranularity
- 30p-L-3 As_2Se_3/As_2S_8多層膜のフォトルミネッセンス
- 30a-W-2 As_2Se_3/As_2S_8非晶質多層膜の光学吸収特性
- 26p-M-7 アモルファス・シリコン系バンド端変調構造膜の光誘起吸収
- 26p-M-6 a-Si:HにおけるODENDORと水素量との相関
- 2p-L2-5 a-Siのアニール効果 : ESR測定(半導体,(アモルファス))
- 1p-FC-2 多結晶シリコンの電子輸送現象(1p FC 半導体(アモルファス))
- 28p-H-2 a-Si_Au_x:H膜のルミネッセンス(28pH 半導体(アモルファス))
- 28p-H-3 a-Si:H系バンド端変調構造膜の物性(28pH 半導体(アモルファス))