森垣 和夫 | 山口大工

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著作論文

• 29a-YL-7 a-Si:Hにおける自己束縛励起子ルミネッセンス
• 3a-J-7 a-Si_N_x:Hバンド端変調構造膜におけるフォトルミネッセンスの温度依存性
• 3a-J-6 a-Si:H, a-Si:DにおけるダングリングESRスペクトルの解析
• 30p-L-3 As_2Se_3/As_2S_8多層膜のフォトルミネッセンス
• 25a-ZG-10 a-Si_N_x:Hにおける物性と水素量との相関
• 超格子膜,変調構造膜 (アモルファス半導体と新材料) -- (新材料)
• 光誘起現象 (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
• 31p-M-5 a-Si : Hにおける光誘起欠陥生成、アニール過程の分散モデル
• 30p-L-9 プラズマ気相合成によるsp^3カーボン膜のESR

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