村山 和郎 | 日大文理
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概要
関連著者
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村山 和郎
日大文理
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二宮 敏行
東大理
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村山 和郎
東大理
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森垣 和夫
東大物性研
-
村山 和郎
東大物性研
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多田 哲也
東大理
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神前 熈
東大物性研
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木村 薫
東大理
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二宮 敏行
中大理工
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桜木 史郎
東大物性研
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広瀬 全孝
産業技術総合研究所
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二宮 敏行
東大・理
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広瀬 全孝
広大工
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宮崎 誠一
広大工
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村山 和郎
東大・理
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山口 敦子
東大・理
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山口 敦子
東大理
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鈴木 弘成
東大理
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武田 雅敏
長岡技科大
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山口 政晃
物性研
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森垣 和夫
物性研
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神前 熙
物性研
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木村 薫
東大工
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神前 熙
東大物性研
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武田 雅敏
東大工
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森垣 和夫
山口大工
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山口 政晃
東大物性研
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山口 政晃
東大工
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武田 雅敏
長岡技大工
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斉藤 理一郎
東大理
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松田 彰久
産業技術総合研究所薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ
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松田 彰久
電総研
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多田 哲也
東大・理
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大枝 秀俊
電子技術総合研究所
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野崎 かおる
日大文理
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大枝 秀俊
電総研
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武田 雅俊
東大 工
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浜中 広見
法大工
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中田 弘章
東大理
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佐々木 幸治
日大文理
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Kastner M.
MIT
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小長井 茂明
法大工
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岩橋 正憲
東大理
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村山 和郎
MIT
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Higashi G.S.
MIT
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岩橋 正憲
東大・理
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Bosch M.A.
Bell研
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森 光功
日大文理
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舘野 信行
日大文理
著作論文
- 27a-G-6 非晶質半導体の螢光に見られるホッピング型熱緩和
- 30a-A-19 a-As_2S_3及びa-Si:Hの時間分解ルミネッセンススペクトル
- 13p-DC-2 ポーラスSiのルミネッセンスの励起スペクトル
- 30p-Q-5 ポーラスSiのルミネッセンスの温度依存性
- 26a-ZG-10 ポーラスSiの可視蛍光と電子格子相互作用
- 31p-M-4 a-Si : Hの電子と正孔の分散型電気伝導とバンド端のゆらぎ
- 2a-F-14 アモルファス半導体のルミネッセンス寿命の分布関数
- 4p-A-5 a-As_2S_3における光構造変化,蛍光の偏光特性III
- 1p-PS-1 a-As_2S_3における光構造変化、蛍光の偏光特性II
- 13a-E-15 a-As_2S_3における光構造変化、螢光の偏光特性
- 27a-SB-31 カルコゲナイドガラスの光構造変化と螢光
- 26p-M-15 アモルファス半導体の蛍光減衰のパーコレーション・モデル
- 12a-T-9 銀ハライドの励起状態の光検波ESR III
- 5a-Q-13 銀ハライドの励起状態の光検波ESR,II
- 14p-Z-9 銀ハライドの励起状態のESR
- 30p-L-3 As_2Se_3/As_2S_8多層膜のフォトルミネッセンス
- 23p-H-6 F中心の緩和励起状態のESR II
- 29a-YL-2 ボロン系固体における分散型輸送
- 31p-B-13 ガラス及び結晶砒素カルコゲナイドの光検出ESR
- 4p-A-8 a-As_2S_3の光学的検出ESR(III)
- 1p-PS-2 a-As_2S_3の光学的検出ESR(II)
- 13a-E-16 a-As_2S_3の光学的検出ESR
- 2p-B-2 a-As_2S_3の螢光と易動度端
- アモルファス物質の緩和とフラクタル
- 2a-F-13 アモルファス半導体のルミネッセンス減衰とフラクタル
- 4p-A-7 アモルファス半導体ルミネッセンスの非指数関数的減衰
- 1p-PS-3 a-As_2S_3とc-As_2S_3のルミネッセンスおよびODESRの比較
- 13a-E-14 カルコゲナイドガラスのγ線照射効果
- 13a-E-3 a-GeSe_2の時間分解ルミネッセンス
- 27a-SB-29 カルコゲナイドガラスのホットルミネッセンス
- 5a-C-4 アモルファス半導体の分散型伝導のパーコレーション・モデル(II)
- T. V. Ramakrishnan and M. Raj Lakshmi, ed., Non-Debye Relaxation in Condensed Matter; Proceedings of a Discussion Meeting, Bangalore, 1986, World Scientific, Singapore and New Jersey, 1987, viii+402p., 22.5×16 cm, 10,560円 [専門書]
- 27a-G-8 カルコゲナイドガラスのホットルミネッセンス
- 5p-K-7 カルコゲナイドガラスの短寿命螢光
- 励起状態の光検波ESR
- 光ポンピングと光検波ESR
- 4a-L-3 KCl:F中心の励起状態のESR(II)
- 2p-L2-2 a-Si:H/a-Si3N4:Hの蛍光減衰と次元(半導体,(アモルファス))
- 28p-H-10 アモルファス半導体の分散型伝導のパーコレーション・モデル(28pH 半導体(アモルファス))