27a-G-6 非晶質半導体の螢光に見られるホッピング型熱緩和

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1987-09-16

著者

• 山口 敦子

  東大・理

• 多田 哲也

  東大理

• 二宮 敏行

  中大理工

• 二宮 敏行

  東大理

• 山口 敦子

  東大理

• 村山 和郎

  日大文理

関連論文

• 27pYH-12 AlPdRe準結晶のESR
• 22pYD-2 Al Cu Ru準結晶のESR
• 23aTF-13 準結晶ESRの信号強度の温度依存性のモデル
• 24aQ-8 Fibonacci格子中の構造と電子状態
• 27pYM-9 一つずつ原子を付けていく際に見られるFibonacci格子のエネルギーバンドの形成過程
• 25a-Q-2 世代間の関係より得られる1次元準周期格子の電子状態
• 2a-D-2 二重量子井戸構造における低温でのトンネリング過程
• 30a-A-14 ポリゲルマンの電子構造;ポリシランとの比較
• 25p-X-2 Geポリマー(ポリゲルマン)の一次元励起子状態
• 25p-X-1 ポリシランの二光子吸収とその主鎖構造依存性
• 3a-A2-15 a-Si:Hにおけるキャリアの熱緩和とルミネッセンス
• 27a-G-6 非晶質半導体の螢光に見られるホッピング型熱緩和
• 30a-A-19 a-As_2S_3及びa-Si:Hの時間分解ルミネッセンススペクトル
• 13p-DC-2 ポーラスSiのルミネッセンスの励起スペクトル
• 30p-Q-5 ポーラスSiのルミネッセンスの温度依存性
• 26a-ZG-10 ポーラスSiの可視蛍光と電子格子相互作用
• 31p-M-4 a-Si : Hの電子と正孔の分散型電気伝導とバンド端のゆらぎ
• 2a-F-14 アモルファス半導体のルミネッセンス寿命の分布関数
• 3p-C-3 フィボナッチ超格子における励起状態の伝播II
• 3p-C-2 フィボナッチ超格子における励起状態の伝播I
• 4p-A-5 a-As_2S_3における光構造変化,蛍光の偏光特性III
• 1p-PS-1 a-As_2S_3における光構造変化、蛍光の偏光特性II
• 13a-E-15 a-As_2S_3における光構造変化、螢光の偏光特性
• 27a-SB-31 カルコゲナイドガラスの光構造変化と螢光
• アモルファスAs_2S_3の光構造変化とガラス転移(VI. 半導体の格子緩和,強結合電子・格子系の動的物性,科研費研究会報告)
• 31p-B-4 カルコゲナイドガラスのガラス転移と光構造変化III
• 28a-D-6 カルコゲナイドガラスの螢光への光構造変化の効果
• 2p-D-4 フォボナッチ超格子における励起状態の伝播
• 人工的な構造制御による準周期系 (準結晶研究の発展)
• 28a-A-13 GaAs-AlAs系二重量子井戸からのフォトルミネッセンス (II)
• 26p-M-15 アモルファス半導体の蛍光減衰のパーコレーション・モデル
• 12a-T-9 銀ハライドの励起状態の光検波ESR III
• 5a-Q-13 銀ハライドの励起状態の光検波ESR,II
• 26p-A-1 準結晶の物性 : 現況と展望
• 25p-T-3 非線形ばねでつなぎあわせた連続体モデルによるパイエルス応力の計算II
• 25a-T-8 トポロジカルに乱れた系の構造と電子状態
• 4相準結晶構造のトポロジカルな特徴
• 4a-D-12 a-As_2S_3光誘起準安定状態とPL中心 III
• 2a-Z-3 非線型バネでつなぎ合わせた連続体モデルによるパイエルス力の計算
• 4p-ZA-8 アモルファスの局所構造と中距離秩序
• 5a-N-7 準周期格子上の電子状態
• 6a-E4-5 二次元準結晶の構造と電子状態
• 3a-A2-5 a-As_2S_3の光誘起準安定状態とPL中心
• 準結晶(基研短期研究会「トポロジーの物理への応用」報告,研究会報告)
• 準結晶(準結晶,基研短期研究会「トポロジーの物理への応用」報告,研究会報告)
• 27a-G-18 カルコゲナイドガラスの光音響分光
• 27a-G-15 a-As_2 S_3の低エネルギー励起のフォトルミネッセンス
• 4p-B-8 アモルファス Ge の電子状態 : 転位模型
• 3a-NK-5 非晶質金属構造の多面体解析
• 12p-R-12 アモルファスGeの転位モデル
• 31p-B-13 ガラス及び結晶砒素カルコゲナイドの光検出ESR
• 4p-NL-5 アモルファスAs_2S_3の光検出ESRII
• 2p-W-1 アモルファスAs_2S_3の光検出ESR
• 2p GJ-4 GaAs中の転位レベル
• 5a-DQ-11 変形されたGaAsの電気的性質 V
• 31p-BB-8 変形されたGaAsの電気的性質 IV
• 9p-P-14 変形されたGaAsの電気的性質III
• 6p-Q-9 変形されたGaAsの電気的性質II
• 2a-G-11 不純物を含む結晶の転位による内部摩擦
• 12a-N-2 不純物場における転移運動 III
• 11p-Q-5 不純物場における転位の運動
• 7a-E-4 転移とフォノンの相互作用 : 不純物効果
• 5a-C-6 a-As_2S_3における光誘起準安定状態とPL中心II
• 26p-X-3 アモルファス物質における光誘起欠陥と光誘起構造相転移
• 4p-A-8 a-As_2S_3の光学的検出ESR(III)
• 1p-PS-2 a-As_2S_3の光学的検出ESR(II)
• 13a-E-16 a-As_2S_3の光学的検出ESR
• 25aQ-8 準結晶AlCuRuのESR IV
• 27pYM-10 準結晶Al Cu RuのESR III
• 28a-G-13 準結晶Al_Cu_Ru_のESR II
• 25p-Q-5 準結晶Al_Cu_Ru_のESR
• 非晶質固体の構造と性質(第22回物性若手「夏の学校」開催後期・報告)
• 27a-F-7 一次元準結晶の固有エネルギーとLie代数
• InSbの中の転位の易動度 : 格子欠陥
• 14a-G-2 InSbの中の転位の易動度
• 2a-F-13 アモルファス半導体のルミネッセンス減衰とフラクタル
• 4p-A-7 アモルファス半導体ルミネッセンスの非指数関数的減衰
• 1p-PS-3 a-As_2S_3とc-As_2S_3のルミネッセンスおよびODESRの比較
• 20pYK-1 ペンローズタイリング+新ドット付加則(準結晶(理論,構造),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 29a-YG-6 準結晶についての簡単な近似結晶モデルとその電子状態
• 5p-K-7 カルコゲナイドガラスの短寿命螢光
• 8a-M-4 キンクの運動による内部摩擦
• 2a-W-17 非晶質半導体構造のリング統計
• 一次元準結晶の電子状態(クエイサイクリスタルの構造と物性,科研費研究会報告)
• 27a-F-8 一次元準結晶の電子状態
• アモルファス固体の構造と安定性
• アモルファス構造の多面体解析(液体の構造と電子物性,科研費研究会報告)
• 準結晶のバンド構造 (準結晶の構造と物性)
• 3a-M-9 アモルファス構造-トポロジカルな乱れ
• 4a-Q-13 非晶質金属構造の多面体解析,V
• 3p-BJ-7 非昌質 As_2S_3 の光検出 ESR
• 2p-L1-11 フィボナッチ超格子における励起電子の伝播(半導体,(表面・界面・超格子))
• 27a-LE-7 ゼオライト空洞中に閉じ込められたSeのフォトルミネッセンス(半導体)
• 28p-K-2 一次元準結晶の電子状態,II(金属)
• 1p-D1-3 アモルファス半導体のホッピング運動とフォトルミネッセンス(1p D1 半導体(アモルファス・ナローギャップ),半導体)
• 1a-FC-5 a-Si:Hの時間分解ルミネッセンススペクトル(1a FC 半導体(アモルファス))
• 28p-W-10 クローニッヒペニイモデルのバンド構造(28p W 金属)
• 28p-W-1 準結晶Al-V-Si中の^Alの高温におけるnmr(28p W 金属)
• 29a-G-7 フィボナッチ超格子における励起状態の伝播(29aG 半導体(超格子))
• 1a-FC-6 a-Si:H/a-Si_3N_4:H超格子のルミネッセンス(1a FC 半導体(アモルファス))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク