3p-C-2 フィボナッチ超格子における励起状態の伝播I
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1989-09-12
著者
-
斎木 敏治
慶大理工
-
多田 哲也
東大理
-
山口 敦史
Nec基礎研
-
八百 隆文
電総研
-
桑田 真
東大理
-
八百 隆文
広大工
-
二宮 敏行
中大理工
-
山口 敦史
東大理
-
二宮 敏行
東大理
-
桑田 真
東大工
-
斎木 敏治
東大理
関連論文
- 21pHL-14 金ナノロッド上の表面プラズモン分布のFDTDシミュレーション(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 21pHL-14 金ナノロッド上の表面プラズモン分布のFDTDシミュレーション(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 3a-B-9 励起子分子の運動量緩和と2光子吸収線幅
- 28p-E-8 GaAs/AlAs 短周期超格子の時間分解分光
- 28a-E-9 MBE ZnSeの励起子系のUVピコ秒分光
- 27a-M-9 ピコ秒領域の光電子相関計数法とその応用II
- 近接場光学顕微鏡による金属ナノロッド観測のFDTDシミュレーション
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aXS-1 孤立電荷移動錯体分子対の単一分子分光II(領域5,領域1合同 : 顕微・近接場分光,非線形光学)(領域5)
- 27aXS-1 孤立電荷移動錯体分子対の単一分子分光II(顕微・近接場分光,非線形工学)(領域5,領域1合同)
- 23pWB-1 孤立電荷移動錯体分子対の単一分子分光
- 23pWB-1 孤立電荷移動錯体分子対の単一分子分光
- FIELO-GaN基板上InGaN量子井戸の光学特性
- FIELO-GaN基板上InGaN量子井戸の光学特性
- 2a-D-2 二重量子井戸構造における低温でのトンネリング過程
- 3a-A2-15 a-Si:Hにおけるキャリアの熱緩和とルミネッセンス
- 27a-G-6 非晶質半導体の螢光に見られるホッピング型熱緩和
- 30a-A-19 a-As_2S_3及びa-Si:Hの時間分解ルミネッセンススペクトル
- 24pRA-5 構造を最適化した近接場プローブによる局所分光
- 3a-B-7 CuCl励起子分子のフォノン緩和
- 28p-QA-14 金属錯体の超構造II : 混晶系の光物性
- 3a-S4-9 選択配位エピタキシー法による金属錯体の人工積層構造の作成
- 金属錯体の人工格子材料実現に向けて--遷移金属錯体の選択配位エピタキシ-
- 28p-QA-13 金属錯体の超構造I : 選択配位エピタキシー法
- 遷移金属配位化合物の選択配位エピタキシャル成長とその展望
- 2a-D-6 GaAs/(AlAs)_n/GaAs単一量子壁のラマン散乱
- 31a-ZG-6 偏光に依存した励起子量子ビートの位相と励起子間相互作用II
- 27p-YP-7 偏光に依存した励起子量子ビートの位相と励起子間相互作用
- 30a-D-11 表面敏感EXAFSによる単原子界面層の構造解析 (I) : Si/Ge/Si
- 3a-F-17 GaAs:Si/AlAs超格子の磁気抵抗
- 3a-F-11 ZnS-ZnTe超格子の電子分光
- 14p-L-2 分子線エピタキシァル成長したZnSeの真性点欠陥とその生成機構
- 6p-J-9 多面金属の極紫外吸収(II)GaのM_吸収
- 7a-Q-11 多価金属の極紫外吸収(I) : Bi及びPbのO_吸収
- 2p-R-7 n-InSbの低温電子比熱
- 14a-W-5 n-InSbのエネルギー緩和
- 23a-G-13 n-InSbのエネルギー緩和II
- 6p-M-10 CdSの高電場移動度
- 2-6族化合物の原子層エピタキシ-
- 6p-M-4 n-InSbのエネルギー緩和
- 10a-Q-3 Field Enhanced Dissociation of Excitons in n-Ge
- 3p-C-3 フィボナッチ超格子における励起状態の伝播II
- 3p-C-2 フィボナッチ超格子における励起状態の伝播I
- 分子線エピタキシ(MBE)による電子材料の作成とテバイスへの応用 (半導体と電子材料の中期展望) -- (薄膜技術)
- RHEEDによるヘテロ界面での格子歪緩和の動的観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- X線2結晶法によるGaAs(001)表面の評価
- ナノ光電子機能を探索する
- A122 ナノスケール熱物性値計測のための近接場光サーモリフレクタンス信号の高感度検出(マイクロ・ナノスケール2)
- 1p-YH-4 GaN励起子の縮退4光波混合
- 2p-D-4 フォボナッチ超格子における励起状態の伝播
- 人工的な構造制御による準周期系 (準結晶研究の発展)
- 28a-A-13 GaAs-AlAs系二重量子井戸からのフォトルミネッセンス (II)
- 4p-C3-19 高繰り返し波長可変UVピコ秒光源によるCuCl励起子分光III : 励起子分子発光の時間分解
- 4p-C3-18 高繰り返し波長可変UVピコ秒光源によるCuCl励起子分光II : ポラリトン発光のパルス伝播効果
- 4p-C3-17 高繰り返し波長可変UVピコ秒光源によるCuCl励起子分光I : 光源の発生法と評価
- 20pWF-3 GaAs量子ドットに閉じ込められた励起子波動関数の近接場光イメージング(領域4,領域5合同シンポジウム : 半導体物性研究におけるイメージング計測の現状,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- H125 近接場光を用いたナノスケール熱物性計測法の開発 : 第 2 報高分解能化の検討
- 31a-H-3 強励起下におけるZnSe励起子系の時間分解分光
- 30p-R-7 ZuSe/GaAs超薄膜の励起子の量子ビート
- 30p-R-6 励起子分子の二光子コヒーレンスの観測
- 30p-R-5 偏光分光法による励起子非線形性の評価
- 30p-R-4 励起子非線形性の素励起描像
- ZnSe励起子系の共鳴非線形光学応答
- 25a-ZH-1 ZnSe/GaAs超薄膜における励起子の量子干渉効果
- 26a-ZE-16 GaAs量子井戸を中心とした半導体励起子系の非線形性に関する考察
- 30p-G-1 CuClにおける励起子、励起子分子系のサブピコ秒時間分解分光
- 28a-Y-4 ZnSe/GaAs中の励起子の伝播効果と高速エネルギー緩和
- 28a-Y-3 ZnSe/GaAsにおける励起子共鳴巨大非線形光学応答
- 24a-X-11 ZnSe/GaAs薄膜中の励起子の非線形光学応答
- 24p-M-18 二重量子井戸構造における低温でのトンネリング過程II
- 3a-B-4 CuCl励起分子巨大二光子遷移に伴うχ^の評価(その2)
- 4p-C3-14 CuCl励起子分子巨大2光子遷移に伴う3次の非線型感受率X^(3)の評価
- 29a-D-11 アントラセン励起子系における非線形光学効果
- 28a-E-13 偏光変調分光法によるred-HgI_2のラマンとルミネッセンス
- 4a-D-12 a-As_2S_3光誘起準安定状態とPL中心 III
- 3a-A2-5 a-As_2S_3の光誘起準安定状態とPL中心
- 27a-G-15 a-As_2 S_3の低エネルギー励起のフォトルミネッセンス
- 5a-C-6 a-As_2S_3における光誘起準安定状態とPL中心II
- 26p-X-3 アモルファス物質における光誘起欠陥と光誘起構造相転移
- 4p-A-8 a-As_2S_3の光学的検出ESR(III)
- 1p-PS-2 a-As_2S_3の光学的検出ESR(II)
- 13a-E-16 a-As_2S_3の光学的検出ESR
- MBEの安全化に関する調査
- 12p-H-1 nonstationary electric conduction in n-Ge
- 5p-H-4 大きな超音波ポテンシャル下の電子の運動
- 7a-F-10 超音波とSuper Lattice
- 7a-F-9 高電界下の量子伝導現象
- 2p-L1-11 フィボナッチ超格子における励起電子の伝播(半導体,(表面・界面・超格子))
- 25pDB-12 GeSbTeにおける光誘起相変化のシングルショット実時間イメージング(光誘起相転移(酸化物・強相関),領域5(光物性))
- 27a-LE-7 ゼオライト空洞中に閉じ込められたSeのフォトルミネッセンス(半導体)
- 3a-G4-2 混合原子価白金錯体混晶の共鳴ラマン散乱(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 26pPSA-38 InP(311)B基盤上単一InAs量子ドットの発光測定(領域5ポスターセッション(励起子,微粒子・ナノ結晶,その他),領域5(光物性))
- 31p-BG-11 ZnS/ZeTe系超格子の積層状態(31p BG 表面・界面)
- 1a-A3-6 GaAs-AlAs超格子のX線による解析(31p A3 X線・粒子線,X線・粒子線)
- 29a-G-7 フィボナッチ超格子における励起状態の伝播(29aG 半導体(超格子))
- 29a-FC-7 AlAs-GaAs系の二重量子井戸のフォトルミネッセンス(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 30a-CF-12 GaAs/AlAs人工超格子の界面の歪み(30a CF X線・粒子線)
- 28a-G-8 Si/Ge超格子の表面敏感EXAFS(28aG 半導体(表面・界面・超格子))
- 30p-CQ-1 GaAs : Si/AlAs超格子のアンダーソン局在(低温)