28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2009-03-03
著者
-
菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
酒井 優
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
大槻 東巳
上智大理工
-
江馬 一弘
上智大理工
-
斎木 敏治
慶大理工
-
猪瀬 裕太
上智大理工
-
関口 寛人
上智大理工
-
岸野 克巳
上智大理工
-
岸野 克巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構
-
関口 寛人
上智大理工:crest-jst
-
斎木 敏治
神奈川科学技術アカデミー
-
江馬 一弘
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
猪瀬 裕太
上智大理工:crest-jst
-
大槻 東巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
菊池 昭彦
上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
-
斎木 敏治
慶応大 理工
-
SATO Tetsuya
National Institute for fusion Science
-
関口 寛人
上智大理工:jst-crest
-
斎木 敏治
慶應義塾大学理工学部 神奈川科学技術アカデミー
-
菊池 昭彦
上智大理工:CREST-JST:上智ナノテク
-
酒井 優
上智大理工
関連論文
- 22pPSB-35 窒化物半導体ナノコラム結晶を用いた新規発光デバイスの研究(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 22aTH-3 Conductance plateau transitions in quantum Hall wires : Analysis of individual samples
- 25aXL-4 Effect of potential correlation in quantum Hall wires
- 2p-Q-7 3次元ランダム磁場中のアンダーソン転移
- 12a-K-3 時間反転対称性のない系でのアンダーソン転移II : 様々なモデルでの比較
- 26a-P-6 時間反転対称性のない系でのAnderson 転移
- 12pPSA-4 GaN/AlN 多重量子井戸におけるサブバンド間遷移ダイナミクス(領域 4)
- 29pXQ-5 GaN/AlN多重量子井戸におけるサブバンド間遷移の超高速緩和過程(超高速現象)(領域5)
- 21pPSB-2 GaN/AIN 多重量子井戸におけるサブバンド間遷移の吸収飽和と高速緩和過程
- 整数量子ホール効果のダイナミカルシミュレーション
- 13p-DF-13 有限サイズの強磁場下2次元不規則電子系における反磁性電流
- 27aPS-93 一次元フォトニック配列したGaNナノウォールからの第二次高調波発生(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(フォトニック結晶,領域5,領域1合同,領域5,光物性)
- 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 28pPSA-62 InAlNおよびInNナノコラムの発光特性(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aVD-5 ランダム配置誘電体円柱における光のアンダーソン局在(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 28aVD-5 ランダム配置誘電体円柱における光のアンダーソン局在(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aYH-6 ランダム配置GaNナノコラムにおける光のアンダーソン局在(21aYH 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 23pYJ-7 GaNナノコラム結晶の発光特性(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aPS-18 InGaN/GaNナノコラム結晶の発光特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aPS-57 GaNナノコラム集団における光の伝搬特性II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSA-79 GaNナノコラム結晶の発光特性II(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSB-29 GaNナノコラム集団における光の伝搬特性(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSB-31 InNナノコラムにおけるバンドギャップとキャリア濃度の評価(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 19pPSB-10 GaNナノコラム結晶の光学特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25aPS-27 GaNおよびInGaN/GaNナノコラム結晶の光学特性(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 27aPS-74 GaNナノコラムの高圧下ラマン散乱(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 2p-Q-7 3次元ランダム磁場中のアンダーソン転移
- 12a-K-3 時間反転対称性のない系でのアンダーソン転移II : 様々なモデルでの比較
- 18aTA-10 量子ホール系におけるコンダクタンスプラトー転移 : ランダム磁場の空間相関の効果(量子ホール効果(理論),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 17aYG-1 2次元不規則電子系における動的乱れによるdephasingの効果
- 非一様磁場中での量子輸送現象
- 振動電場下の弱局在効果
- 振動電場下の弱局在効果
- 25aPS-39 準位統計による量子パーコレーションの研究
- 25aD-8 磁性不純物がある系でのアンダーソン転移
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 光のアンダーソン局在の直接観察
- 光のアンダーソン局在の直接観察 (局在現象にみる光の物理)
- 17pRE-12 励起子共鳴領域におけるフェムト秒光パルス伝搬 III
- 27aYA-4 励起子共鳴領域におけるフェムト秒光パルス伝搬II
- 25aXD-11 励起子共鳴領域におけるフェムト秒光パルス伝搬
- 27p-YP-10 励起子分子2光子共鳴によるフェムト秒パルスのソリトン的伝搬
- CuCl中の励起子分子2光子共鳴によるポラリトンソリトン
- 25aRE-4 半導体円柱集団における光局在特性(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25aRE-4 半導体円柱集団における光局在特性(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 19pPSA-46 GaNナノコラム結晶のプラズモンによるラマン散乱(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aWH-2 GaN/AIN多重量子ディスクナノコラムのラマン散乱(26aWH 非線形光学・励起子・ポラリトン・緩和励起子・格子振動,領域5(光物性))
- 27aWA-3 GaNナノコラムおよびGaN/AlN超格子ナノコラムのラマン散乱(27aWA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 21aYD-10 GaN/AIN超格子ナノコラム結晶のラマン散乱(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
- 21aYD-9 GaNナノコラム結晶のラマン散乱(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
- GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 25pPSB-45 GaNナノウォールと規則配列GaNナノコラムにおける表面フォノンのラマン散乱(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 23aYJ-7 GaNナノコラム結晶のプラズモンによるラマン散乱II(微粒子・ナノ結晶・低次元物質,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pRC-11 GaNナノコラム結晶の電気伝導(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-4-5 InGaN/GaN MQWナノコラムを用いた緑色発光デバイス(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 25aHB-8 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(25aHB 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aHB-8 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(25aHB 領域5,領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25pPSA-28 GaNナノ構造における表面フォノンのラマン散乱(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 26aPS-89 1本のGaNナノコラムの電気伝導(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pPSA-29 1本のGaNナノコラムの顕微ラマン散乱(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pPSA-6 1本のGaNナノコラムの電気伝導II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTN-10 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 21pPSA-60 GaNナノ構造における表面フォノンのラマン散乱II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pPSA-59 1本のGaNナノコラムの顕微ラマン散乱II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 23pTN-10 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 18aPSB-46 2次元転送行列法による光のアンダーソン局在の数値解析(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
- 26aEH-11 窒化物半導体ナノコラムにおけるレーザー発振(26aEH 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26aEH-11 窒化物半導体ナノコラムにおけるレーザー発振(26aEH 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域5(光物性))
- 28pPSB-67 2次元集団効果による光のアンダーソン局在の数値解析(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
- 27aDA-12 窒化物半導体ナノコラムにおける光局在とレーザー発振(フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域5,領域1合同,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 8aSJ-8 励起子共鳴領域におけるフェムト秒光パルス伝搬 : ポラリトンビートとプリカーサー(光誘起相転移,領域5)
- 27aDA-12 窒化物半導体ナノコラムにおける光局在とレーザー発振(フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域5,領域1合同,領域5(光物性))