近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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概要
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規則配列GaNナノコラムを貫通転位を含まない高品質テンプレートとして用い、活性層に高In組成InGaN、p型層にMgドープ低In組成InGaNを成長し、近赤外発光ナノコラムLEDを作製した。電気特性及び電流注入発光特性を評価したところ、室温において立ち上がり電圧〜1Vの明瞭な整流特性が得られ、波長1.46μmの近赤外EL発光を観測した。また活性層及びp型層のIn組成は発光波長、STEM-EDX、制限視野電子線回折よりそれぞれ〜87%、〜31%であると見積もられた。以上の結果から、窒化物半導体による最も長波長である光通信波長帯域における1.46μm LEDのデモンストレーションに初めて成功し、InGaN系材料による近赤外発光デバイス応用が可能であることを示唆した。
- 2011-11-10
著者
-
菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
菊池 昭彦
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学理工学部
-
神村 淳平
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構
-
菊池 昭彦
上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
-
神山 幸一
上智大学理工学部
-
菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
-
神村 淳平
上智大学理工
-
岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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