岸野 克巳 | 上智大学理工学部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
岸野 克巳
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
-
菊池 昭彦
上智大学理工学部
-
菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
-
菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
岸野 克巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
菊池 昭彦
上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
-
岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構
-
関口 寛人
上智大学理工学部
-
関口 寛人
上智大理工:crest-jst
-
関口 寛人
上智大理工:jst-crest
-
大橋 達男
上智大学理工学部
-
神村 淳平
上智大学理工学部
-
神村 淳平
上智大学理工
-
松井 聡
上智大学理工学部
-
野村 一郎
上智大学 電気電子工学科
-
松井 聰
上智大学理工学部
-
石井 洋平
上智大学理工学部
-
光野 徹也
上智大理工:crest-jst
-
野村 一郎
上智大学理工学部
-
野村 一郎
上智大 理工
-
川井 瑞恵
上智大学理工学部
-
HOLMSTROM Fetter
上智大学理工学部
-
HOLMSTROM Petter
上智大学理工学部
-
光野 徹也
上智大学理工学部
-
石沢 峻介
上智大学理工学部
-
石沢 峻介
上智大理工:crest-jst
-
江馬 一弘
上智大学理工:上智ナノテク
-
多田 誠
上智大学理工学部
-
江馬 一弘
上智大学理工学部
-
多田 誠
上智大理工
-
岸野 克巳
上智大学 理工学部
-
森田 高行
上智大学理工学部
-
森田 高行
北海道消化器科病院
-
江馬 一弘
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
猪瀬 裕太
上智大学理工学部
-
神山 幸一
上智大学理工学部
-
猪瀬 裕太
上智大学理工
-
酒井 優
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
大槻 東巳
上智大学理工学部
-
猪瀬 裕太
上智大理工:crest-jst
-
内田 裕行
上智大理工
-
大槻 東巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
内田 裕行
上智大学理工学部
-
田中 譲
上智大学理工学部
-
神村 淳平
上智大理工
-
酒井 優
上智大学理工学部
-
欅田 英之
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学
-
加藤 圭
上智大学理工学部
-
吉田 順自
上智大学
-
橘 哲生
上智大学理工学部
-
欅田 英之
上智大学理工:上智ナノテク
-
欅田 英之
上智大理工
-
欅田 英之
上智ナノテク研
-
葛西 洋平
上智大理工
-
福永 和哉
上智大理工
-
田中 海一
上智大学理工学部
-
幾野 敬太
上智大学理工学部
-
葛西 洋平
上智大学理工学部
-
福永 和哉
上智大学理工学部
-
吉田 順自
上智大学理工学部
-
金澤 秀和
上智大学理工学部
-
野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
-
野中 薫雄
琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科
-
林 達哉
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
-
原 和彦
静岡大学電子工学研究所
-
酒井 士郎
徳島大学工学部
-
森田 敏弘
上智大学 電気電子工学科
-
岸野 克巳
上智大学 電気電子工科
-
鈴木 皇
上智大理工
-
藤田 信彦
上智大学 理工学部 電気電子工学科
-
山田 隆之
上智大学理工学部電気電子工学科
-
酒井 士郎
徳島大 工
-
中村 進一
上智大学理工学部電気電子工学科
-
草部 一秀
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
-
酒井 優
山梨大学大学院医学工学総合研究部先端領域若手研究リーダー育成拠点
-
岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科
-
森 雅士
上智大学理工学部電気電子工学科
-
吉澤 正樹
上智大学理工学部電気電子工学科
-
藤田 信彦
上智大学理工学部電気電子工学科
-
森 雅士
上智大学 理工学部 電気電子工学科
-
吉澤 正樹
上智大学 理工学部 電気電子工学科
-
豊浦 洋祐
上智大学理工学部電気電子工学科
-
草部 一秀
上智大学理工学部電気電子工学科
-
杉原 大輔
上智大学理工学部電気電子工学科
-
鈴木 洋二
上智大学理工学部物理学科
-
蛯沢 智也
上智大学理工学部
-
櫛田 俊
上智大学理工学部
-
田才 邦彦
上智大学理工学部
-
中村 均
上智大学理工学部
-
朝妻 庸紀
上智大学理工学部
-
中島 博
上智大学理工学部
-
鈴木 皇
上智大学理工学部
-
鈴木 洋二
上智大学理工学部
-
酒井 士郎
徳島大学
-
山野 晃司
上智大学理工学部
-
山野 晃司
上智大学理工学部:jstクレスト
-
朝妻 庸紀
ソニー(株)
-
亀谷 龍馬
上智大学理工
-
大槻 東巳
上智大理工:上智ナノテク
-
光野 徹也
静岡大学電子工学研究所
-
酒井 優
山梨大学医学工学総合研究部
著作論文
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- InP基板上のMgZnCdSe混晶及びZnCdSe/MgZnCdSeヘテロ接合のMBE成長
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaN/A1N超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性
- GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 光のアンダーソン局在の直接観察
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製
- GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ディスプレイ技術と可視光レーザー
- RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- (GaP)_m/(InP)_m短周期二元超格子におけるGaInP量子細線構造の自己組織化条件と量子細線レーザ
- (GaP)_n/(InP)_m短周期二元超格子によるGaInP量子細線の自己組織化と量子細線レーザ
- ガスソースMBE法による自己形成GaInP/AlInP赤色量子細線レーザ
- 28a-ZK-8 歪GaAsからのスピン偏極光電子の生成および検出
- GaNの極微細構造の成長とAIGaNのシャッター制御法によるAI組成制御
- 窒化物系共振型紫外線受光素子の設計とRF-MBE法によるAlGaN系DBRの試作
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製
- 赤色半導体レーザーの低しきい値化
- InP基板上II-VI族材料による黄緑色半導体レーザの作製(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]InP基板上II-VI族材料による黄緑色半導体レーザの作製(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-4-5 InGaN/GaN MQWナノコラムを用いた緑色発光デバイス(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 分子線エピタキシー法による高品質窒化物半導体の結晶成長と共鳴トンネルダイオードの作製(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
- 可視光半導体レーザーの物理
- 窒化物半導体国際ワークショップ (IWN2000) 報告
- AlN/GaN超格子を用いた1.2〜1.6μm光通信波長帯サブバンド間吸収の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- AlN/GaN超格子を用いた1.2〜1.6μm光通信波長帯サブバンド間吸収の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価
- 26pSA-2 ELO成長法におけるInNの光学特性(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価
- 六角形状GaNマイクロディスク結晶における光共振機構の検証(発光型/非発光型ディスプレイ)