光野 徹也 | 上智大学理工学部
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概要
関連著者
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菊池 昭彦
上智大学理工学部
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岸野 克巳
上智大学理工学部
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大橋 達男
上智大学理工学部
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光野 徹也
上智大学理工学部
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光野 徹也
上智大理工:crest-jst
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菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
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川井 瑞恵
上智大学理工学部
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石沢 峻介
上智大学理工学部
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石沢 峻介
上智大理工:crest-jst
著作論文
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)