石沢 峻介 | 上智大学理工学部
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概要
関連著者
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菊池 昭彦
上智大学理工学部
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岸野 克巳
上智大学理工学部
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石沢 峻介
上智大学理工学部
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石沢 峻介
上智大理工:crest-jst
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菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
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岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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大橋 達男
上智大学理工学部
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HOLMSTROM Petter
上智大学理工学部
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光野 徹也
上智大学理工学部
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光野 徹也
上智大理工:crest-jst
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菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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岸野 克巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構
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菊池 昭彦
上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
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山野 晃司
上智大学理工学部
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山野 晃司
上智大学理工学部:jstクレスト
著作論文
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-4-5 InGaN/GaN MQWナノコラムを用いた緑色発光デバイス(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)