HOLMSTROM Petter | 上智大学理工学部
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概要
関連著者
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菊池 昭彦
上智大学理工学部
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岸野 克巳
上智大学理工学部
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HOLMSTROM Petter
上智大学理工学部
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菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
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岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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松井 聡
上智大学理工学部
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松井 聰
上智大学理工学部
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石井 洋平
上智大学理工学部
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HOLMSTROM Fetter
上智大学理工学部
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関口 寛人
上智大学理工学部
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関口 寛人
上智大理工:crest-jst
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大橋 達男
上智大学理工学部
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石沢 峻介
上智大学理工学部
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石沢 峻介
上智大理工:crest-jst
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関口 寛人
上智大理工:jst-crest
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森田 高行
上智大学理工学部
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森田 高行
北海道消化器科病院
著作論文
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaN/A1N超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))