石井 洋平 | 上智大学理工学部
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概要
関連著者
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上智大学理工学部
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上智大学理工学部
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石井 洋平
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菊池 昭彦
上智大学理工学部
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岸野 克巳
上智大学理工学部
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菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
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岸野 克巳
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上智大理工:jst-crest
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松井 聡
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石井 洋平
上智大理工
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森田 高行
上智大理工
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欅田 英之
上智ナノテク研
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幾野 敬太
上智大学理工学部
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浜崎 淳一
北大工
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高橋 輝
東工大院理工
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菊池 昭彦
上智大理工:CREST-JST:上智ナノテク
著作論文
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 12pPSA-4 GaN/AlN 多重量子井戸におけるサブバンド間遷移ダイナミクス(領域 4)
- GaN/A1N超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性
- GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)