菊池 昭彦 | 上智大学理工:上智ナノテク
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概要
関連著者
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菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
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岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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菊池 昭彦
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菊池 昭彦
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岸野 克巳
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上智大理工:jst-crest
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神村 淳平
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神村 淳平
上智大学理工学部
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松井 聡
上智大学理工学部
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松井 聰
上智大学理工学部
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石井 洋平
上智大学理工学部
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川井 瑞恵
上智大学理工学部
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HOLMSTROM Fetter
上智大学理工学部
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HOLMSTROM Petter
上智大学理工学部
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光野 徹也
上智大学理工学部
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光野 徹也
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上智大学理工学部
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石沢 峻介
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多田 誠
上智大学理工学部
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多田 誠
上智大理工
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上智大学理工学部
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上智大学理工:上智ナノテク
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上智大学理工学部
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森田 高行
北海道消化器科病院
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江馬 一弘
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江馬 一弘
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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猪瀬 裕太
上智大学理工学部
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猪瀬 裕太
上智大学理工
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船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
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酒井 優
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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田中 譲
上智大学理工学部
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金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
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神村 淳平
上智大理工
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酒井 優
上智大学理工学部
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大槻 東巳
上智大学理工学部
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欅田 英之
上智大学理工学部
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金田 昭男
京都大学工学研究科電子工学専攻
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金井 聡庸
京都大学工学研究科電子工学専攻
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猪瀬 裕太
上智大理工:crest-jst
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加藤 圭
上智大学理工学部
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内田 裕行
上智大理工
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大槻 東巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科
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内田 裕行
上智大学理工学部
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船戸 充
京都大学工学研究科
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菊池 昭彦
上智大学理工学部機能創造理工学科
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金田 昭男
京都大学工学研究科
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川上 養一
京都大学工学研究科
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欅田 英之
上智大学理工:上智ナノテク
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島田 雄平
上智大学理工学部
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野村 一郎
上智大学 電気電子工学科
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欅田 英之
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葛西 洋平
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福永 和哉
上智大理工
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田中 海一
上智大学理工学部
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幾野 敬太
上智大学理工学部
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葛西 洋平
上智大学理工学部
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福永 和哉
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吉田 順自
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吉田 順自
上智大学理工学部
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野村 一郎
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島田 雄平
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入江 崇之
上智大学理工学部機能創造理工学科
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入江 崇之
上智大学理工学部
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米丸 昌男
上智大学理工学部電気電子工学科
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石野 隼一
上智大学理工学部
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喜多 諒
上智大学理工学部
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 薫雄
琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科
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林 達哉
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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藤田 信彦
上智大学 理工学部 電気電子工学科
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山田 隆之
上智大学理工学部電気電子工学科
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中村 進一
上智大学理工学部電気電子工学科
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草部 一秀
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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森 雅士
上智大学理工学部電気電子工学科
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吉澤 正樹
上智大学理工学部電気電子工学科
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藤田 信彦
上智大学理工学部電気電子工学科
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森 雅士
上智大学 理工学部 電気電子工学科
-
吉澤 正樹
上智大学 理工学部 電気電子工学科
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豊浦 洋祐
上智大学理工学部電気電子工学科
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草部 一秀
上智大学理工学部電気電子工学科
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杉原 大輔
上智大学理工学部電気電子工学科
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山野 晃司
上智大学理工学部
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山野 晃司
上智大学理工学部:jstクレスト
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辻 智之
上智大学理工学部機能創造理工学科
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白崎 慎也
上智大学理工学部機能創造理工学科
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亀谷 龍馬
上智大学理工
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菊池 昭彦
上智大学理工学部:上智大学ナノテクセンター
著作論文
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaN/A1N超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性
- GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製
- GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- (GaP)_m/(InP)_m短周期二元超格子におけるGaInP量子細線構造の自己組織化条件と量子細線レーザ
- ガスソースMBE法による自己形成GaInP/AlInP赤色量子細線レーザ
- GaNの極微細構造の成長とAIGaNのシャッター制御法によるAI組成制御
- 窒化物系共振型紫外線受光素子の設計とRF-MBE法によるAlGaN系DBRの試作
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-4-5 InGaN/GaN MQWナノコラムを用いた緑色発光デバイス(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-32 ZnO/F8BT/MoO_3無機/有機複合LED(IO-Hy LED)の動作特性におけるMgZnO電子注入層導入効果(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- AlGaN系紫外域共振型受光素子の作製と評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価
- AlGaN系紫外域共振型受光素子の作製と評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- ナノミスト堆積(NMD)法を用いた有機薄膜の成膜とOLEDへの応用(有機材料,作製・評価技術,一般)
- 26pSA-2 ELO成長法におけるInNの光学特性(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価
- 誘電体/金属多層構造透明導電膜を用いた無機/有機複合LEDの作製と評価(ディスプレイ材料・製造技術シンポジウム)
- 誘電体/金属多層構造透明導電膜を用いた無機/有機複合LEDの作製と評価