川井 瑞恵 | 上智大学理工学部

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概要

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• 同名の論文著者
• 上智大学理工学部の論文著者

関連著者

• 菊池 昭彦

  上智大学理工学部

• 川井 瑞恵

  上智大学理工学部

• 岸野 克巳

  上智大学理工学部

• 菊池 昭彦

  上智大学理工:上智ナノテク

• 岸野 克巳

  上智大学理工:上智ナノテク

• 大橋 達男

  上智大学理工学部

• 光野 徹也

  上智大学理工学部

• 光野 徹也

  上智大理工:crest-jst

• 多田 誠

  上智大学理工学部

• 多田 誠

  上智大理工

著作論文

• RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製

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