RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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(0001)Al_2O_3基板上に分子線エピタキシ一法を用いて成長したGaNナノコラム結晶の室温における発光特性をフォトルミネッセンス(PL)法を用いて評価した。低励起条件下において.比較に用いた転位密度3〜5x10^9cm-<-2>、厚さ37μmの有機金属気相堆積法で成長したノントープGaN連続膜の20〜400倍という強いPL発光を得た。強励起条件下では198kWcm^<-2>という低閥値ての光励起誘導放出を観測した。また,InGaN/GaN多重量子井戸構造を有するGaNナノコラム結晶を成長し、波長436nmから614nmにおける強いPL発光を確認した。導電性を有する(111)Si基板上へ,InGaN/GaN多重量子ディスク活性層を有するナノコラムLEDを作製したところ、室温において明瞭な整流特性か得られ,順方向電流庄入時には透明電極下からの明るい発光が観測された。活性層のIn組成を変化させる事によって緑から赤燈色の発光か得られた。
- 2004-10-15
著者
-
菊池 昭彦
上智大学理工学部
-
川井 瑞恵
上智大学理工学部
-
多田 誠
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学理工学部
-
多田 誠
上智大理工
-
菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
-
岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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