InP基板上II-VI族材料による黄緑色半導体レーザの作製(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
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概要
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InP基板に格子整合するMgZnCdSe、BeZnTeII-VI族材料及びこれらを組み合わせた超格子材料を開拓し、広い可視光域で発光する半導体レーザ(LD)及び発光ダイオード(LED)に応用した。ZnCdSe/BeZnTe超格子を活性層、MgSe/BeZnTe超格子をpクラッド層、MgSe/ZnCdSe超格子をnクラッド層としたLEDを作製し、ピーク波長554nm(黄緑色)から644nm(赤色)の発光を得た。また、3500時間以上の長寿命動作を達成し、この素子の高い信頼性を示した。さらに活性層にZnCdSeを用いたLDを作製し、77Kにおいて中心波長560nmの黄緑色レーザ発振に初めて成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-12
著者
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