MBE法によるInP基板上ZnCdSe/MgZnCdSe混晶系の結晶成長と評価
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概要
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分子線エピタキシー(MBE)法により、InP基板上に格子整合する、Mg組成比0〜0.63のMgZnCdSe単層膜、及びZnCdSe/MgZnCdSeダプルヘテロ構造の成長を行った。15Kにおけるフォトルミネッセンス(PL)測定により、成長した試料の禁制帯幅は2.17〜3.12eVであることが判った。また、MgZnCdSe混晶の反射率測定より屈折率の算出を行った。ZnCdSe/MgZnCdSe量子井戸構造を作製したところ、15Kにおいて深い準位からの発光のないシャープなPLスペクトルが得られた。また、室温においてもZnCdSe井戸層からの強いPL発光が観測された。また、ZnCdSe/MgZnCdSe MQW-SCH構造を作製し、77Kにおいてパルス電流を注入したところ、MgZnCdSe混晶系では初めてのエレクトロルミネッセンス(EL)発光が観察されたのであわせて報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-14
著者
-
森田 敏弘
上智大学 電気電子工学科
-
野村 一郎
上智大学 電気電子工学科
-
菊池 昭彦
上智大学 電気電子工学科
-
新保 宏幸
上智大学 電気電子工科
-
岸野 克巳
上智大学 電気電子工科
-
菊池 昭彦
上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
-
野村 一郎
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学 理工学部
-
野村 一郎
上智大 理工
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