InP基板上ZnCdSe/MgZnCdSe MQW構造における量子閉じ込めシュタルク効果と共振型光変調器への適用
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概要
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本研究ではInP基板上に格子整合するII-VI族MgZnCdSe系混晶を用いた光変調器の作製を目指している.今回,InP基板に格子整合するZnCdSe/MgZnCdSe多重量子井戸を分子線エピタキシー法により成長し,その量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)を評価したので報告する.この量子井戸構造に電界を印加した時の反射スペクトルを測定したところ,1.87x10^5V/cmの電界印加時に-6.3%の反射率変化が観測された.この値は-3.4%の屈折率変化に相当し,エキシトン効果に起因するものと考えられる.これらのII-VI族特有の大きなエキシトン効果を用いれば,高い消光比を持つ光変調器の実現が期待できる.そこで,屈折率変化層の上下面に多層膜反射鏡を持つファブリペロー型光変調器の設計を行い,消光比や挿入損失等の性能を理論的に見積った.さらにMgZnCdSe多層膜反射鏡を試作し,580nm 等の波長帯において98.0%の反射率を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-10
著者
-
森田 敏弘
上智大学 電気電子工学科
-
原口 勝
上智大学 電気電子工学科
-
新井 将之
上智大学 電気電子工学科
-
服部 洋
上智大学 電気電子工学科
-
水野 剛之
上智大学 電気電子工学科
-
野村 一郎
上智大学 電気電子工学科
-
菊池 昭彦
上智大学 電気電子工学科
-
下村 和彦
上智大学 電気電子工学科
-
岸野 党巳
上智大学 電気電子工学科
-
下村 和彦
上智大学理工学部
-
菊池 昭彦
上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
-
野村 一郎
上智大学理工学部
-
岸野 党巳
上智大学 理工学部
-
野村 一郎
上智大 理工
-
下村 和彦
上智大学 理工学部
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