CLEO/QELS'95報告 III-半導体レ-ザ-,光スイッチ,演算・記憶システム,光検出器とEO技術,ファイバ-レ-ザ-,光通信-
スポンサーリンク
概要
著者
-
下村 和彦
上智大学理工学部
-
柴田 泰夫
NTT光エレクトロニクス研究所
-
東門 元二
松下電器半導体研究センター
-
東門 元二
松下電器産業(株)半導体研究センタ-
-
向原 智一
東京工業大学精密光学研究所
-
森 邦彦
NTT光ネットワ-ク研究所
-
向原 智一
東京工業大学精密工学研究所
-
森 邦彦
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
森 邦彦
日本電信電話株式会社ntt光ネットワークシステム研究所
関連論文
- 階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長選択スイッチのBPM解析と試作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- InP基板上ZnCdSe/MgZnCdSe MQW構造における量子閉じ込めシュタルク効果と共振型光変調器への適用
- GaInAsP/InP MQW導波路型光偏向器の偏向特性
- 29a-NE-11 GaInAsP/InP MQW構造屈折率分布型導波路光偏向器の試作
- 29a-NE-10 FD-BPMによる屈折率分布型導波路光偏向器の数値解析
- 半導体モノリシック選択波長ルーター
- B-10-81 PLC-LN集積化変調器とディジタルコヒーレント受信による240-Gb/s偏波多重64-QAM変復調実験(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- 非線形受光素子による非同期チャープモニタを用いた160Gbit/s適応分散等化伝送の実証(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
- B-10-97 分散バランス構成によるビットレート無依存チャープモニタを用いた160Gbit/s適応分散等化伝送の実証(B-10. 光通信システムB(光通信))
- 屈折率分布アレイ導波路における波長スイッチングの解析(光部品の実装・信頼性、一般)
- 屈折率分布アレイ導波路における波長スイッチングの解析(光部品の実装・信頼性,一般)
- CLEO/QELS'95報告 III-半導体レ-ザ-,光スイッチ,演算・記憶システム,光検出器とEO技術,ファイバ-レ-ザ-,光通信-
- 表面実装型 LD/PD 集積化モジュール
- Si基板を用いた表面実装型LDモジュール
- ファイバ埋込光回路を用いたPDモジュールの受光特性
- インライン型2波長多重受光モジュール
- ファイバ埋込光回路を用いた2波長多重受光モジュール
- ファイバ埋込光回路を用いた2波長多重受光モジュール
- ファイバ埋込光回路を用いた2波長多重受光モジュール
- 光ファイバ中の supercontinuumの発生機構
- 光ファイバ中の supercontinuumの発生機構
- 光ファイバ中の supercontinuumの発生機構
- 光ファイバ中の supercontinuumの発生機構
- 光パラメトリックループミラーを用いた波長シフトのない自己位相変調の補償
- 光パラメトリックループミラー(PALM)を用いた波長交換
- 光パラメトリックループミラー(PALM)の超高速光信号制御への検討
- 屈折率分布アレイ導波路における波長スイッチングの解析(光部品の実装・信頼性,一般)
- AlAs選択酸化を利用する極微構造InGaAs/GaAs面発光レーザに関する基礎的検討
- (311)A面GaAs基板上面発光レーザの出力偏波特性
- (311)A面InGaAs/GaAs歪量子井戸面発光レーザの発振特性
- Modelling of VCSELs Including Carrier Diffusion and Diffraction Losses
- (311)A面上面発光レーザの発振特性一偏波制御と低しきい値化の実現一
- 極微構造 InGaAs/GaAs 面発光レーザの低しきい値動作
- 極微InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値化
- MOCVD成長InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値動作
- 金属/半導体偏光子を用いた面発光レーザの偏波制御
- スーパーコンティニウム光源によるマルチ光キャリア発生
- 光ソリトンのスペクトルフィルタリングを利用した40Gbit/s×4チャネル一括光リミッタ(40Gb/s伝送技術,OTDM技術,高速伝送技術,一般)
- B-10-101 光位相変調器と周期分極反転 LiNbO_3 を用いた PLL による 160Gbit/s 信号のタイミング抽出
- 光パラメトリックループミラー(PALM)を用いた波長変換
- 光制御MOSFETにおける光応答特性のゲート長依存性
- 光制御MOSFETの試作とその光入射特性
- InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの量子効果と高周波応答
- InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの量子効率と高周波応答
- InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの量子効率と高周波応答
- InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの量子効率と高周波応答
- ファイバ中で発生するSC光を用いて評価したInP/InGaAs UTC-PDの1.55-1.7μmでの量子効率
- SC-3-4 スポットサイズ変換を集積した16ch半導体AWG
- B-12-11 MQW平均屈折率法による直列型回折格子フィルタの設計法
- 半導体LD光増幅器の利得飽和を用いた光パケット強度等化器
- 階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長選択スイッチのBPM解析と試作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの4波長スイッチング特性(光部品の実装・信頼性,一般)
- 熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの4波長スイッチング特性(光部品の実装・信頼性,一般)
- 熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの4波長スイッチング特性(光部品の実装・信頼性,一般)
- 選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果型波長スイッチ(光部品の実装・信頼性,一般)
- 選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果型波長スイッチ(光部品の実装・信頼性,一般)
- 選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果型波長スイッチ(光部品の実装・信頼性,一般)
- 選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果光偏向器・光スイッチに関する研究(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果光偏向器・光スイッチに関する研究(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 選択成長による半導体導波路アレイを用いた波長分波器・光偏向器(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,フォトニック結晶,MEMS)光ファイバ,一般)
- 選択成長GaInAs/InP MQW 波長分波器の基礎検討(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- 階段型屈折率分布アレイ導波路における波長分波特性
- 階段型屈折率分布アレー導波路を用いた1.55μm帯光偏向器に関する理論解析
- アレイ導波路型光スイッチのための多モード干渉素子の設計 : アレイ導波路型波長分割素子への応用
- 方向性結合器形グレーティングスイッチと空間スイッチモジュールを用いたWDM-TDMクロスコネクトシステム
- 量子ドットアレイ導波路の作製とデバイス応用(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 量子ドットアレイ導波路の作製とデバイス応用(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 櫛型電極を用いた半導体光偏向素子の偏向特性
- GaInAs/InP多重量子井戸構造屈折率分布型光偏向素子の解析と試作
- 超高速光スイッチ
- 光時分割多重伝送におけるビット間四光波混合に関する検討
- 光TDM伝送におけるビット間四光波混合の影響
- 屈折率分布アレイ導波路における波長スイッチングの解析
- ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 屈折率分布アレイ導波路における波長スイッチングの解析
- アレイ導波路を用いたCWDM用一波分波器の検討
- 三角形状ヒータを用いたGaInAs/InP MQW波長スイッチのスイッチング特性(光部品・光デバイスの実装・信頼性,一般)
- 三角形状ヒータを用いたGaInAs/InP MQW波長スイッチのスイッチング特性(光部品・光デバイスの実装・信頼性,一般)
- 三角形状ヒータを用いたGaInAs/InP MQW波長スイッチのスイッチング特性(光部品・光デバイスの実装・信頼性,一般)
- 集積型光制御HEMTの動作特性
- SiO_2/InP直接貼付技術を用いた光制御MOSFETの光応答特性
- 直接貼付光制御 FET における光応答特性
- 選択成長アレイ導波路を用いた波長スイッチングの検討(光波センシング,光波制御,検出,光計測,ニュロ,一般)
- 光制御CMOSの開発--光配線のための光-電気変換素子
- 省電力化を実現するデバイス技術の現状と展望 (特集 注目度&緊急度120% 省エネ・高効率化設計)
- 高性能光制御MOSFETの開発
- これからの工学教育を考える : 若手教員大いに語る
- 選択成長InAs量子ドットアレイLEDのスペクトル解析(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般(OFC報告,IEEE IPS Japan Chapter講演会))
- 量子ドットアレイ導波路の作製とデバイス応用
- 量子ドットアレイ導波路の作製とデバイス応用
- C-4-26 MOVPE選択成長およびダブルキャップ法を用いたアレイ導波路型InAs量子ドットLEDのスペクトル特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-5 電界効果GaInAs/InP MQWアレイ導波路型波長スイッチの動作特性と解析(光スイッチ(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-10-1 InAsナノワイヤのSi基板上への電界アシスト自己整合堆積(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス(機能ナノデバイス及び関連技術)
- InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)