SiO_2/InP直接貼付技術を用いた光制御MOSFETの光応答特性
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概要
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Si基板上に集積化された長波長光検出器である光制御MOSFETを異種半導体基板の直接貼付技術を用いて試作、その光応答特性を測定した。光制御MOSFETは光入射によって起こる光吸収領域の電位変化を利用してMOSFETのソース-ドレイン電流を制御するものである。その応答速度は光吸収領域、およびMOSFETの応答速度に依存し、数+GHzの高速下での使用が可能である。直接貼付技術を用いることによって従来の光制御MOSFETより特性の改善が行われ、測定の結果、入射光波長λ=1.50μmにおいて最大変調電流量ΔI_<DS>=560μA、最大光変調電圧ΔV_<PS>=0.4V、最大応答感度R=288A/Wを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-03
著者
-
下村 和彦
上智大学理工学部
-
酒井 崇幸
上智大学 理工学部 電気電子工学科
-
山野 智成
上智大学理工学部電気電子工学科
-
酒井 崇幸
上智大学理工学部電気電子工学科
-
坂田 和昭
上智大学理工学部電気電子工学科
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