直接貼付光制御 FET における光応答特性
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概要
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異種半導体基板の直接貼付技術を用いて光制御FETの試作を行った。このデバイスは光吸収領域とFET領域から構成され、1.55μm光の入射により、FETのドレインーソース電流を変調制御するものである。今回、貼付プロセスにおけるアニール温度を620、660、700℃にて素子の試作を行い、光応答特性に対する貼付温度依存性を測定した。また、入射光強度依存性に関しても測定し、最大応答感度R=151.8(A/W)(Pm=1μW)を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-16
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