直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
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概要
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大容量高速通信を実現するIII-V族半導体をSiプラットフォーム上に集積することが求められている。本論文では直接貼付法とウェットエッチングを用いてInP/Si基板を作製し,この基板上にMOVPE法によるGaInAs/InP MQW構造の結晶成長を行った.また,SiO_2-Si基板とGlass基板でも同様の結晶成長を実現し,Si基板上ではGaInAs/InP MQW構造を層構造とする狭ストライプ選択MOVPE成長を行った.この技術は,Siをはじめとする異種基板上へ多機能なIII-V族半導体光デバイスを高密度に集積することを可能にする.
- 2013-06-14
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