櫛型電極を用いた半導体光偏向素子の偏向特性
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概要
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我々は1×nの光スイッナングを行うための光偏向素子を提案してきた。今回は作製プロセスや測定法の簡易化を図るため、櫛型電極を用いた構造を提案した。 この構造は多重量子井戸内に起きる量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)による屈折率変化によって、光を偏向させるものである。ビーム伝搬法を用いてこの構造の光偏向器の理論解析により、設計を行い、そして実際にGaInAs/InP MQW基板を用いて素子を試作し、その偏向特性を測定した。入射光波長1.55μm、逆バイアス電圧12・5V を印加したとき、約2.5度の光偏向を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-13
著者
-
下村 和彦
上智大学理工学部
-
新田 雄一
上智大学理工学部電気電子工学科
-
サットルサヤェン ラタポン
上智大学理工学部電気・電子工学科
-
サットルサヤエン ラタポン
上智大学理工学部電気電子工学科
-
山本 裕也
上智大学理工学部電気電子工学科
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