GaInAsP/InP MQW導波路型光偏向器の偏向特性
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概要
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我々は光スイッチにないランダムアクセス性に優れた光偏向素子の研究を行っている。これまで理論解析を通じて屈折率分布型の光偏向素子の提案を行ってきた。今回、この構造を持つGaInAsP/InP MQW構造導波路型光偏向素子の試作を行い、その偏向特性を測定した。試作した素子はGaInAsP/InP MQW基板を用い、光入射部である幅5[μm]のリッジ型導波路構造を形成した後に、偏向器部分である幅3[μm]、長さ100[μm]の3本からなる屈折率分布領域を形成し、その先はスラブ導波路領域となっている。偏向器部分には異なる長さの電極を形成し、これに電界を印加することによって屈折率分布が生じ、入射光が偏向されるものである。波長1.46[μm]・0.3[mW]の光を入射し、3本の電極にそれぞれ逆バイアス2[V]印加した時、7[μm]偏向した。これは、偏向角1度に相当する結果である。
- 1997-05-15
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