選択成長による半導体導波路アレイを用いた波長分波器・光偏向器(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,フォトニック結晶,MEMS)光ファイバ,一般)
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概要
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GaInAs/InP MQW構造による階段型屈折率分布を有する導波路アレイを用いた光スイッチの研究を行っている.この導波路アレイは,MOVPE選択成長法において非対称SiO_2マスクパターンを用いることにより,MQW層厚を徐々に変化させ,それぞれの導波路において屈折率分布を有する構造となっている.この構造により,アレイ導波路中を伝搬した光はそれぞれ異なる位相で出射するため,互いに干渉し波面の揃う方向に回折する.また,回折角は波長に依存することから,波長の異なる光の集光する位置はそれぞれ異なり,異なる波長を別々に取り出すことが可能となる.今回,波長スイッチヘ応用するにあたり,初期実験としてフレネル領域における回折像-入射波長依存性の測定,更に入射/出射導波路を含む分波器構造を作製し, FSR=約100 nm, 約25 nm 間隔の波長分波を確認した.スイッチング動作の初期実験として0〜6.5V電圧印加による回折像ピーク位置変化を測定し,波長1460 nm において4.17°,1490 nm において0.60°の光偏向を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-12-07
著者
-
町田 大輔
上智大学理工学部電気・電子工学科
-
下村 和彦
上智大学理工学部
-
川北 泰雅
上智大学 理工学部 電気・電子工学科
-
川北 泰雅
上智大学理工学部電気・電子工学科
-
下田屋 卓
上智大学理工学部電気・電子工学科
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