熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの4波長スイッチング特性(光部品の実装・信頼性,一般)
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概要
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我々はGaInAs/InP MQW構造を用いたアレイ導波路型波長選択スイッチの研究を行っている.アレイ導波路は,MOVPE選択成長法において非対称SiO_2マスクパターンを用いることによりMQW層厚を徐々に変化させ,導波路の屈折率が階段状に変化した構造となっており,これにより直線型アレイ導波路構造の波長分波器が実現できる.今回,大きな屈折率変化を期待することができる熱光学効果を用いて,GaInAs/InP MQW屈折率分布アレイ導波路型波長選択スイッチを作製し,4波長の波長分波特性および波長選択スイッチング特性が得られたので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-04-10
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