光制御MOSFETにおける光応答特性のゲート長依存性
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概要
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Si基板上に集積化された長波長光検出器である光制御MOSFETにおける光応答特性のゲート長依存性を測定した。光吸収領域のパターンを変更することによって、これまで問題となっていた漏れ電流を低減し、通常のメタルゲートMOSFETと比べて遜色のない電流-電圧特性を得ることができた。また光入射による変調電流量、オン・オフ比、応答感度等の光応答特性を測定し、ゲート長の短縮により、変調電流量、応答感度の大幅な向上を達成した。
- 1998-05-14
著者
-
下村 和彦
上智大学理工学部
-
新田 雄一
上智大学理工学部電気電子工学科
-
山縣 智成
上智大学理工学部電気電子工学科
-
木下 和敏
上智大学理工学部電気電子工学科
-
櫻井 幹
上智大学理工学部電気電子工学科
-
山野 智成
上智大学理工学部電気電子工学科
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