InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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電界アシスト自己堆積プロセス(FASA)を用いてInAsナノワイヤをSi基板上に堆積した。InAsナノワイヤ及びInAs/InPコアシェルナノワイヤに関して、FASA歩留まりの周波数依存性を比較した。また、FASAによりナノワイヤをクロス型に堆積することを試みた。さらに、nMOSFETとナノワイヤを用いたインバータを作製し、回路動作を確認した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-02-20
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