RTD/HEMT発振回路の動作解析(量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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共鳴トンネルダイオード(RTD)、高電子移動度トランジスタ(HEMT)、およびインダクタを用いた新しい発振回路の動作解析を行った。SPICEシミュレーションを行った結果、ピーク電流密度j_p=5×10^5 A/cm^2のRTDと0.1nHのインダクタを用いることで、最高200GHzの発振が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-21
著者
-
和保 孝夫
上智大学理工学部電気・電子工学科
-
和保 孝夫
上智大学理工学部
-
和田 紘典
上智大学理工学部電気・電子工学科
-
岡崎 弘志
上智大学理工学部電気・電子工学科
-
村松 直和
上智大学理工学部電気・電子工学科
-
岡崎 弘志
上智大学理工学部
-
村松 直和
上智大学理工学部
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